记忆体竞争的基准，正从容量与速度转向系统设计能力，南韩SK海力士周二(8日)在利川园区举行「2026 SK海力士未来论坛」上提出「全堆叠AI记忆体」战略，社长郭鲁正强调需将视角由内向外转换，站在客户与合作伙伴角度审视事物，在AI生态变革中发掘新可能性。他指出，记忆体市场已从比拼速度的「直路」驶入瞬息万变的「弯道」，把握外部环境变化与灵活适应能力同样重要。

SK海力士试图摆脱单纯内存供应商的角色，转型为理解并共同设计AI系统的企业。这项战略的核心是组合与协作。副总裁Lim Eui-cheol阐述了将3D堆叠DRAM、HBM与HBF等不同记忆体捆绑搭配、以匹配工作负载特性的做法。另一支柱则是与AI服务、软体、加速器生态伙伴推动「系统级共同设计」。

SK海力士勾勒出迈向「全堆叠AI记忆体创造者」的方向，这一转变源于工作负载的变化。

随着AI迈向自行设定目标并执行任务的「代理式AI」，AI必须记忆与管理的状态资讯量大幅增加。由于资料寿命与存取特性各异，单一通用记忆体已难以应对。随着多代理与长时间执行场景扩大，容量与带宽上也出现了新的瓶颈。

SK海力士高管则将技术解法指向3D。SK海力士副总裁金庆勋、孙浩英分享3D技术发展方向与待攻克课题，提出三大核心技术路线：最大化数据汇流排频宽、超短距离传输、利用逻辑代工厂制造DRAM周边电路。

金庆勋、孙浩英将3D技术分为两类：一是垂直堆叠元件的「元件整合」，二是将不同功能晶片分开制造再结合成一体的「异质整合」，主要方向包括最大化资料总线带宽、超短距离传输及为DRAM外设电路采用逻辑代工。

金庆勋说：「要将3D堆叠DRAM落实为实际产品，必须解决不同以往的技术难题，包括发热与过程难度，还有设计优化。」

孙浩英说：「3D技术正改变晶圆厂与封装之间的技术界线。除先进封装技术的创新，建立跨领域协同优化与新的协作体系同样重要。」

与此同时，SK海力士也检视了落实面的挑战：须同步解决封装难题，涵盖设计、散热，以及精细互连、键合与流程整合。随着前段与后段过程的界线，乃至代工与记忆体之间技术与业务的界线日益模糊，SK海力士认为需要跨出既有领域进行协同优化。