中国主要动态随机存取记忆体（DRAM）制造商长鑫科技(688825-CN) 周日（20日）宣布，其第五代技术平台已进入量产阶段。该公司宣称，这项突破有望协助中国在全球记忆体晶片市场，与三星电子(005930KS) 、SK海力士(000660KS) 及美光科技(MU-US) 竞争。

根据《路透》报导，长鑫科技表示，新技术平台旨在以更低成本及更低功耗，生产效能更强大的记忆体晶片。DRAM是智慧型手机、电脑及其他装置执行应用程式与软体时所使用的短期工作记忆体。

长鑫今年已在上海证券交易所科创板挂牌上市，并指出新平台将为电子产品制造商提供更多智慧型手机及其他装置所需晶片的供应来源。

长鑫表示，新平台能让负责储存资料的微小结构排列得更加紧密，使每颗晶片容纳更多记忆体，并提高每片矽晶圆可生产的独立晶片数量。

这家总部位于合肥的记忆体晶片制造商指出，已将晶片资料储存区的关键结构间距缩小至11.95奈米，约为120亿分之1公尺。

长鑫透过「四重图案化」（quadruple patterning）技术达成这项成果。该制程会重复执行多个制造步骤，以形成更精细的电路图案。

长鑫副总裁兼行销中心负责人罗晓东在合肥举行的2026年世界制造业大会上表示：「我们目前的制程能力，已与业界最先进的量产制程节点相当。」

长鑫科技推出两款新型LPDDR5X晶片

长鑫同时发布两款采用新平台制造的24Gb LPDDR5X产品。LPDDR5X属于低功耗DRAM，主要应用于智慧型手机及其他可携式电子装置。

长鑫表示，这两款产品的单颗容量较前一代同类产品增加50%，目前已进入量产，并提供两种封装形式，以因应不同智慧型手机及可携式装置的设计需求。

在晶圆生产效率方面，长鑫指出，以8Gb晶片作为基准，新平台每片晶圆可产出的晶粒总数，至少较第四代平台增加50%。

不过，公司强调，这项数据反映的是晶圆在扣除瑕疵品前的潜在晶粒产出数量，并不代表最终通过测试的晶片比例。

长鑫表示，新平台的开发结合电脑模拟技术，以及与中国晶片设备制造商在关键制程上的合作。

此次技术进展正值中国政府寻求降低对外国半导体技术依赖之际。自2022年起，美国出口管制已限制中国取得部分先进晶片制造设备及相关软体。