中国记忆体制造商长鑫存储加速布局伺服器记忆体市场，并将推出新一代DRAM架构。长鑫科技(688825-CN) 核心子公司长鑫存储总裁曹堪宇周六（10日）表示，公司预计年底推出采用4F²架构的新一代DDR5 RDIMM产品，透过缩小记忆体单元面积、提高储存密度，突破现有DRAM制程瓶颈。

根据陆媒报导，曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上介绍，4F²架构的一项关键创新，是采用垂直环绕闸极（VSG）电晶体结构，借由改善闸极控制能力，降低漏电与短通道效应，同时利用垂直配置缩小电晶体占用面积，进一步提高记忆体储存密度。

DRAM产业正持续追求更高的储存密度，目前主流架构为6F²，其中F代表制程中的最小特征尺寸。相较之下，4F²架构可将单一记忆体储存单元的面积缩小，有助于在相同面积内配置更多储存单元，提升晶片容量。

从6F²转向4F²，不只是缩小电晶体，更涉及整体制程架构的调整。 早期的4F²设计主要着重于2D电晶体布局，记忆体阵列与周边逻辑电路必须共用微影及掺杂制程条件，限制了效能表现，未能超越6F²架构。

随着6F²架构持续微缩的难度提高，业界开始推动4F²朝3D架构发展，透过将DRAM与CMOS制程分离，并采用晶圆级混合键合技术实现高速互连，让逻辑电路效能与记忆体单元密度得以分别最佳化，降低既有制程限制。

曹堪宇并透露，长鑫存储在4F²架构相关技术上的公开专利族已超过300件，数量居业界领先地位。

长鑫存储此次选择DDR5 RDIMM作为4F²架构的首代产品，也反映公司正积极拓展伺服器记忆体市场。

过去，海外记忆体厂商在伺服器市场占据优势，长鑫存储的下游应用则较偏重消费性电子产品。相较于消费级记忆体着重运算速度，伺服器记忆体还必须满足长时间、不间断运作的需求，技术与工程门槛相对较高。

长鑫科技总经理赵纶9月在业绩说明会上表示，公司上半年持续拓展伺服器领域业务，相关产品的营收贡献已经增加。

随着4F²架构产品预计年底问世，长鑫存储将进一步把新技术导入伺服器记忆体领域，尝试突破既有市场格局。

除了4F²架构，长鑫科技近期也持续更新DRAM技术布局。

长鑫科技8月底宣布，最新一代低功耗记忆体LPDDR6已进入量产，成为业界较早量产LPDDR6的厂商之一。

9月，长鑫存储又在世界制造业大会上宣布，第五代DRAM技术平台（G5）实现量产，制程水准已接近全球顶尖的记忆体量产平台。

根据市场研究机构Counterpoint数据，以全球DRAM厂商营收计算，长鑫科技2026年第二季市占率为7%，排名全球第四。