知名半导体分析师郭明?近日针对台积电 (2330-TW) 近期流出的 CoWoS 玻璃基板简报进行深度解读。他指出，在台积电最新的 CoPoS 封装技术体系中，玻璃核心基板（即「oS」部分）并非可有可无的优化选项，而是决定下一代 AI 晶片能否成功制造的「必要条件」。目前市场显著低估了该技术的战略重要性。

此一关键技术起源于台积电在 2026 年 6 月 11 日日本 JPCA Show 上，发表题为「AI 进化不可或缺的先进封装技术」之演讲。其后流出的简报证实，台积电已正式与 Ibiden（斐电）及 群创 (3481-TW) 联手开发玻璃核心基板。

该结构采用三层设计，将玻璃核心夹于两层 ABF 积层之间，共同构成了 CoPoS 封装中的关键「oS」支撑。

电源完整性大升级 直击 AI 算力硬实力

郭明?分析指出，简报中展现的电源完整性（PI）改善数据，是该项技术最具商业价值的核心。由于玻璃基板厚度变薄，使得穿玻璃通孔（TGV）的垂直导通路径大幅缩短，进而让导通电阻与回路电感同步下降。

这种物理特性的改善，能为晶片提供更稳定的供电系统，进一步为整合更多电晶体或提升时脉频率创造出宝贵的空间，最终直接转化为强大的 AI 运算能力。

这正是辉达 (NVDA-US) 以及另外两家美系晶片巨头对此技术展现浓厚兴趣的根本原因。

oS 与 CoP 的「必须有」与「优化」之别

为了让业界更清晰理解该技术的本质，郭明?特别区分了 CoPoS 体系中两个关键技术的定位差异。

其中，「CoP」旨在解决生产效率与切割经济性问题，主要影响的是成本与价格；而「oS」则是用于克服封装翘曲（Warpage）与耐久性难题，直接决定晶片「能不能被制造出来」以及「能否正常工作」。

他进一步指出，CoP 属于「有了更好的优化（very-nice-to-have）」，少了它顶多是晶片成本变高，但依然可以生产；相反地，oS 则是「必须有（must-have）」，若缺乏玻璃基板的支撑，晶片在物理上甚至无法成功制造。

这也解释了为何台积电在实验阶段，选择优先将 oS 与现有的 CoW 技术搭配验证，而非与 CoP 搭配，目的是抢先打通最关键的技术瓶颈。

此外，他也澄清简报中的「COP」并非指 Chip-on-Package，而是指衡量结构平整度的技术指标「共面性（Coplanarity）」。

三方联手攻克瓶颈 核心技术不轻易示人

在技术实作与产业链分工方面，台积电、Ibiden 与群创已在复合材料的机械结构验证上取得重大突破。

目前的测试基板切割自 250×250 毫米的整片基板，ABF 积层主要采用味之素（Ajinomoto）的 GL107 混合 ABF-GCP，测试层数达 24 至 28 层，这也是 2027 至 2028 年 AI 晶片的主流规格。

台积电透过 CoW（晶圆上晶片）作为测试载具，已成功复现并克服了最棘手的机械结构与形变难题。

目前 Ibiden 负责 250×250 毫米基板的切割。郭明?预测，到了 2027 年下半年进入 510×515 毫米量产前模拟阶段时，Ibiden 为了降低生产复杂度、保护其超高毛利率，可能会将切割工序移交给对玻璃加工更为熟稔的群创。

值得注意的是，台积电在演讲后的问答环节中，拒绝对 TGV（穿玻璃通孔）的细节做出任何回应，这显示 TGV 是玻璃基板最核心的护城河技术，其智慧财产权目前由台积电与群创共同掌握，属于高度商业机密。

高单价难掩高价值 整体经济帐依然划算

尽管玻璃基板的单价比现行的 ABF 基板高出数倍，且由群创加工的玻璃更是其中最昂贵的材料，但郭明?认为，高昂的单价不会阻碍大客户的采用意愿。

这必须从整体的成本结构来看：目前基板成本仅占 AI 晶片整体物料清单（BOM）的低个位数百分比，而因封装不良导致的良率损失，其成本却高达基板本身的 5 至 10 倍。

因此，即使玻璃基板的成本翻倍，它在总成本中的占比依旧极低，却能大幅削减因封装损坏带来的巨额损失，并提升晶片算力与售价。

对客户而言，这无疑是一笔非常划算的经济帐。

2028 年底启动量产 指引长期技术趋势

根据最新的产业链调查，台积电的目标是在 2028 年第四季至 2029 年第一季启动玻璃基板的量产，以完美配合辉达下一代 AI 晶片的迭代节奏。

虽然 Ibiden 先前在财报中保守的将玻璃基板的量产时间标注在 2030 年，但郭明?解读，Ibiden 一向作风谨慎，将该技术正式纳入路线图本身就确认了长期趋势。

不过，他也提醒投资人，Ibiden 简报中的部分光罩时间线与台积电的公开说法相差约一代，且其标注的晶片尺寸也与市场已知的 Rubin Ultra 规格有所出入，预测未来市场走势时仍需多方核实，不宜过度依赖单一来源。