韩国股市周三 (24 日) 强势上攻，记忆体晶片龙头三星电子盘中一度大涨超过 10%，SK 海力士同步劲扬逾 5%，带动韩国 KOSPI 指数一度上涨 4.02%。日本股市亦同步走稳，日经 225 指数上涨 0.14%。

市场分析指出，三星电子股价大涨主要受到市场传闻激励。韩国媒体报导指出，三星电子可能宣布高达 90 兆韩元的大规模股份回购计划，激发投资人追价买盘。

值得注意的是，韩股强势反攻的背景，正好发生在美国晶片股前一交易日全面重挫之后。美股费城半导体指数前夜大跌超过 7%，创下近期最大跌幅之一，成分股全数收黑。其中，美光科技 (MU-US) 暴跌超过 13%，安森美半导体 (ON-US) 重挫逾 11%，安谋控股 (ARM-US) 跌幅超过 10%，应用材料 (AMAT-US)、德州仪器(TXN-US)、高通(QCOM-US) 跌幅均超过 8%，恩智浦半导体 (NXPI-US) 跌幅超过 7%。

除了回购题材外，韩国记忆体产业近期亦传出多项利多消息。根据《韩国经济日报》报导，SK 海力士可能于 25 日向韩国金融监督院提交美国存托凭证 (ADR) 上市申请文件，监管机关最快可望于 7 月 3 日前完成审查，若进展顺利，SK 海力士 ADR 最快 7 月便可在美国挂牌交易。

另一方面，三星电子在高频宽记忆体 (HBM) 领域的进展也受到市场关注。根据韩联社报导，三星电子 HBM4 产品上市量产后仅四个月，累计营收已突破 10 亿美元，成为全球首家在 HBM4 量产后如此快速达成此规模的业者。市场预估至 6 月底前，相关营收可望进一步突破 12 亿美元。

市调机构 TrendForce 指出，三星 HBM4 采用 4 奈米 FinFET 制程生产底层控制晶片，认证时程领先竞争对手，使其全年 HBM4 出货量预估由 3,500 亿 Gb 上调至 4,000 亿 Gb。

相较之下，SK 海力士则选择较为保守的扩产策略。TrendForce 指出，SK 海力士正放缓 HBM4 产能爬坡速度，并缩减部分原定由 HBM3E 转换至 HBM4 的生产线计划。公司认为，目前已在 HBM 市场占据领导地位，无须激进扩张下一代产品产能。

分析人士指出，SK 海力士此举主要着眼于获利率管理。根据韩媒 Chosun Biz 报导，HBM 产品目前已占 SK 海力士整体营收超过 40%，在市占与获利均维持强势下，持续大规模投资 HBM4 的边际效益正在下降。

此外，传统 DRAM 市场的获利能力正快速改善。市场预估 DRAM 业务营业利益率有望在今年接近 90% 的理论高峰。SK 海力士第一季 DRAM 平均售价较前季大涨约 60%，公司未来将持续聚焦高密度伺服器模组及行动装置市场需求。

市场亦关注 SK 海力士与微软 (MSFT-US) 签署的三年期 DDR5 供货协议。业界普遍认为，该合作将进一步提升 SK 海力士在标准 DRAM 市场的长期获利能见度。

TrendForce 预估，由于扩产步调放缓，SK 海力士 HBM4 大规模量产时程已延后至 2026 年第三季，全年 HBM4 出货量预测亦由 4,500 亿 Gb 下修至 4,000 亿 Gb。

除了记忆体产业利多外，华尔街近期对整体半导体产业展望也愈发乐观。美国银行 (BAC-US) 最新研究报告指出，人工智慧相关资本支出的能见度已明确延伸至 2028 年，因此全面上调半导体产业预测与相关个股目标价，其中包括英特尔 (INTC-US)、美光科技(MU-US) 等主要晶片企业。

美银同时大幅提高全球晶圆制造设备 (WFE) 市场预测，预估 2029 年市场规模将达 2,680 亿美元，较先前预测增加 7%；2030 年则上看 2,920 亿美元，较原先预测提高 9%。

美银认为，未来设备需求成长主要来自三大因素。首先，全球晶圆厂陆续完工，无尘室供给增加，有助于解除设备安装瓶颈；其次，记忆体厂与客户签署长期供应协议 (LTA)，让设备投资决策具备更高确定性；第三，先进制程持续推升每片晶圆所需设备投入强度，带动设备需求进一步攀升。

报告并指出，英特尔 (INTC-US) 与三星电子在先进晶圆代工及逻辑晶片领域的进展，以及 Terafab 专案未来可能带来的新增需求，都有助于支撑设备市场长期成长。

除美银外，多家投资银行近期亦同步上修半导体设备产业预测。摩根大通预估，全球 WFE 市场 2026 年成长率将由原先预估的 21% 上调至 28%，2027 年将进一步成长 29%，2028 年仍可维持 16% 的增幅。富国银行亦调升 2027 年至 2028 年的设备市场展望。

在产业总体规模方面，美银将全球半导体市场总潜在规模 (TAM) 预测由原先的 2.3 兆美元大幅调升至 2.7 兆美元，并预估 2025 年至 2030 年间，全球半导体产业复合年成长率 (CAGR) 可达 28%，反映 AI 基础设施建设、先进记忆体需求及高效能运算市场的长期成长潜力。