过去两年被视为高频宽记忆体（HBM）封装技术重大跃进的混合键合（Hybrid Bonding），如今发展步调出现变化。随着 JEDEC 近期放宽 HBM4 设计规范，原本被认为势在必行的新技术不再迫切，两家南韩记忆体大厂三星和 SK 海力士 (SKHY-US) 也相继决定，HBM4 产品将持续沿用既有封装架构，而非提前导入混合键合。

根据《ZDNet Korea》引述业界人士报导，三星和 SK 海力士两大记忆体厂已陆续决定，HBM4 暂不采用混合键合，最快也要等到 HBM4E 才有机会导入。

一名业内人士甚至直言，业界对 16 层堆叠的讨论已明显降温，就算进入 HBM4E 世代，12 层堆叠仍可能是主流选择。

促成这个转向的关键，是国际半导体标准组织 JEDEC 的一项技术性调整：HBM 封装的高度上限，从 775 微米放宽至 1000 微米。

HBM 本质上是把多层 DRAM 晶粒层层堆叠，层数愈多，容量与频宽愈高，但封装高度存在物理天花板。

目前主流的热压键合制程，是靠层与层之间的微小金属凸块接合，工艺成熟、良率稳定，但凸块本身就要占用高度。12 层堆叠已逼近 775 微米的旧上限，若要往 16 层、20 层迈进，空间显得捉襟见肘。

这正是混合键合原本的卖点：拿掉凸块，直接让铜面对铜面贴合，同样高度能塞进更多层，散热表现也更佳。

但 JEDEC 放宽上限后，情势整个翻转。多出的 225 微米，让热压键合这套「老工法」不必升级，就足以应付 12 到 16 层的堆叠需求。一项原本被市场视为势在必行的技术革命，一夕之间失去了最直接的推力。

除了高度限制，混合键合的另一项优势在于散热。传统制程中，凸块周围需要填充绝缘胶材，这类材料导热性差，等于在每层 DRAM 之间夹了一层隔热棉，层数愈多、热量愈难排出；混合键合省去这道工序，理论上散热效率明显较佳。

不过三星与 SK 海力士各自找到了替代方案。三星开发出名为 HPB 的热传导路径技术，在封装内部加装独立导热柱，如同替堆叠结构装上多根「散热烟囱」；SK 海力士则推出 iHBM 方案，将电绝缘的导热矽元件直接嵌入 DRAM 层间，宣称可将热阻降低超过 30%。

两者的共通点是：不改变键合方式，只在封装结构上加装散热元件，代表混合键合原本独有的散热优势，如今已可透过其他工程手段补足。

真正的关键买家辉达并不急

记忆体厂的技术路线，最终仍要看最大客户辉达 (NVDA-US) 的脸色。《ZDNet Korea》报导指出，辉达已经放缓对更高堆叠层数 HBM 的需求时程。

背后原因不难理解。16 层 HBM 代表单颗记忆体的容量与频宽同步翻倍，但这也要求 GPU 端的记忆体控制器与互连架构同步升级。

若辉达下一代平台只靠增加 12 层 HBM 的颗数就能满足频宽需求，自然没有诱因去催促记忆体厂冒险投入良率较低、成本较高的 16 层制程。

台积电 (2330-TW) 的 SoIC 先进封装技术，则从另一个角度缓解了高度压力。SoIC 让 GPU 与 HBM 进行 3D 垂直堆叠，GPU 封装本身变厚，反而让留给 HBM 的高度空间更加宽松。

换言之，未来的平台架构并非在压缩 HBM 的空间限制，而是在松绑它。

供应链：谁受益、谁承压

分析人士指出，这波技术路线的延后，对产业链的影响相当清晰。

传统热压键合设备厂是明显赢家。南韩的韩美半导体目前是全球 HBM 热压键合设备龙头，市占率 71.2%，混合键合每延后一个世代，其订单能见度就可望延长至少两年。

混合键合设备厂则是需求后移，但故事并未消失。荷兰 Besi 在全球混合键合设备市场约占 70% 份额；中国的拓荆科技已实现晶圆对晶圆混合键合量产，2025 年相关业务营收成长 41.92%；北方华创也已在今年推出晶片对晶圆混合键合设备。

由于这两家厂商目前的成长动能主要来自逻辑晶片领域，短期营收受影响有限，但「即将爆发」的市场叙事，确实被改写成「长期趋势不变、时程延后」的版本。

另一个可能被忽略的新兴市场，是封装内部的散热材料。三星 HPB 与 SK 海力士 iHBM 都指向同一个方向：HBM 散热未来可能不再只依赖外部液冷冷板，封装内部嵌入专用导热元件将成为新选项。

这个细分市场目前尚未形成明确的供应商版图，但需求方向已经浮现。

慢一点未必是坏事

分析认为，从整体产业链的角度看，这次技术路线的延后，反而可能是件好事。

混合键合要求两片晶圆在奈米级的平整度上精准对齐，并在无尘环境下完成铜原子的直接扩散接合，是整个 HBM 制程中良率风险最高的一环。

若三星与 SK 海力士强行在 HBM4 世代导入，一旦量产良率出现波动，只会让本就吃紧的 HBM 供给雪上加霜，而这正是目前 AI 供应链最难承受的变数。

先以成熟的热压键合稳住 12 层 HBM4 与 HBM4E 的量产，等到 HBM5E 世代 I/O 密度从 2048 翻倍至 4096 时，再让混合键合出手挑战 16 层甚至 20 层堆叠，这样的节奏虽然较慢，却让近期的 HBM 供给更有保障。

对于曾将混合键合视为「下一个 CoWoS 级投资主题」的市场而言，这无疑是一盆冷水。但 HBM5E 世代 I/O 频宽翻倍已是确定方向，混合键合终究是绕不开的技术门槛，只是，它不会在 2026 年准时报到。