随着中国记忆体大厂长鑫科技 (688825-CN) 正式登陆资本市场，高盛罕见在 IPO 前夕紧急召开中国记忆体专家会议。除了看好中国 DRAM 产能未来数年将大幅扩张，也认为中国设备国产化已成最具确定性的投资主轴；尽管 HBM 技术仍落后国际大厂，但 AI 需求持续强劲，预料将支撑记忆体价格与中国半导体供应链长期成长。

据悉，在长鑫科技挂牌前三天（24 日），高盛紧急召开一场聚焦中国记忆体产业的专家电话会议，邀请曾任长鑫存储行销业务高阶主管、并在三星电子服务长达 18 年的资深业界人士，针对中国 DRAM 产能扩张节奏、产品技术进度与全球记忆体价格走势三大面向进行深度剖析。

尽管长鑫目前尚无法量产人工智慧（AI）伺服器急需的高频宽记忆体（HBM），但受惠于三星、SK 海力士 (SKHY-US) 等国际大厂将晶圆产能优先倾斜至毛利更高的 HBM 产品，反而带动消费级与通用型 DRAM 价格飙涨，让长鑫今年以来获利丰厚。

根据高盛提供的数据，长鑫今年第一季全球 DRAM 营收市占率已攀升至 8%，单季营收年增高达 719%。

市场预期，这次透过 IPO 募得的资金，长鑫除了持续扩大 DRAM 产能，也将进一步向 HBM 等先进技术领域迈进。

业界专家对中国本土 DRAM 供应商的扩产前景抱持乐观看法，预估到 2030 年，中国记忆体龙头厂商的年产能将较目前水准成长逾一倍。

目前长鑫产能布局已横跨合肥、上海、北京三大生产基地，预计都将于 2028 年前全数投产；此外，一座规模更大的生产基地也将在 2028 年后开始贡献产能，持续推升中国国产 DRAM 的整体供应量。

值得留意的是，这波新增产能除了持续采购国际一线设备商产品外，也正加速导入中国本土半导体设备。部分厂区除了曝光机仍仰赖进口外，其余制程环节已大量改用中国国产设备，为本土设备供应商开启前所未有的渗透机会。

因此，高盛也在会议中提出核心判断指出，中国记忆体产能扩张的趋势已不可逆转，设备国产化替代将是确定性最高的投资主线。

换言之，无论长鑫等业者实际扩产进度快慢，北方华创 (002371-CN) 、中微公司 (688012-CN) 、盛美上海 (688082-CN) 等中国本土半导体设备供应商都将是直接受惠者，只要产能持续扩张，中国设备订单与国产化比例便会同步提升，这项逻辑并不依附於单一客户的成败。

在产品技术层面，专家指出，中国本土 DRAM 龙头厂商的制程持续更新，产品效能较去年已有明显进步，但与三星、SK 海力士等国际一线大厂相比，读写速度等关键指标仍存在落差。

专家进一步透露三项技术时程观察：

其一，量产 HBM3 与 HBM3E 是中国本土龙头厂商设定在 2026 年达成的明确目标；

其二，由于极紫外光（EUV）微影设备受到出口管制，中国厂商须仰赖深紫外光（DUV）搭配其他创新制程路线来开发高阶产品；

其三，3D DRAM 技术有望在 2027 年迎来新一轮研发突破，可望成为绕过 EUV 限制的可行方案。

至于价格走势，专家分析，尽管良率仍相对偏低，但中国国产 DRAM 报价已逐步贴近国际一线厂商水准。

展望后市，第三、四季受智慧型手机品牌厂对成本上升的抵制影响，DRAM 涨幅预期将较上半年收敛；但中国与海外市场的 AI 需求依然强劲，可望支撑 2027 年记忆体价格续维持上涨格局。

此外，专家研判，全球一线记忆体厂商短期内不会将 HBM 产能转回传统 DRAM 生产，AI 需求强度将持续限制 HBM 供给弹性；同时，记忆体厂商与客户间长约占比可望进一步提高，有助于价格中枢趋于稳定。

在市场机构眼中，长鑫存储此次挂牌不仅是一桩单纯的 IPO 案，更象征中国半导体「自主可控」路线从概念倡议走向商业实践的重要里程碑。

随着中国本土记忆体与先进逻辑晶片供应商逐步满足中国云端服务商（CSP）在生成式 AI 领域的庞大需求，整条「中国供中国」半导体供应链，涵盖晶圆代工、半导体设备、材料、零组件、智慧财产权及 IC 设计等环节，都可望因此受益。