AI 浪潮持续推升全球高频宽记忆体 (HBM)、DRAM 与 NAND 需求，南韩记忆体大厂 SK 海力士( SK Hynix ) 宣布大手笔扩大产能布局，董事会已核准总额约 54.3 兆韩元、折合约 382.8 亿美元的投资计划，将在韩国龙仁与清州新建两座晶圆厂，以因应人工智慧 (AI) 时代持续增加的先进记忆体需求。

SK 海力士表示，董事会已核准向龙仁半导体集群第二座晶圆厂 Y2 投入 35.2 兆韩元，另向清州 M17 工厂投入 19.1 兆韩元，两项投资合计达 54.3 兆韩元。公司计划在 2031 年前完成相关投资，并根据客户需求及市场变化逐步增加生产设备与实际产能。

SK 海力士指出，在 AI 时代，能够在客户真正需要产能时及时提供所需产品，本身就是企业的重要竞争力。因此，公司此次并未选择一次性将所有设备与产能全部投入，而是采取「基础设施先行、设备按需投入」的方式，在提前建立厂房与相关基础设施的同时，保留后续依照市场需求调整产能的弹性。

依照目前规画，两座新厂的首个洁净室最快将于 2028 年底至 2029 年陆续投入使用，意味着 SK 海力士正提前为未来数年的 AI 记忆体需求建立生产基地，同时透过分阶段投资方式控制资本支出效率。

其中，龙仁 Y2 将成为此次扩产计划的核心。Y2 是 SK 海力士龙仁半导体集群规画中的第二座晶圆厂，建筑面积约 34.1 万坪，预计 2027 年 7 月动工，首个洁净室预计 2029 年 6 月完工并投入使用。

Y2 主要将生产 HBM 及其他下一代 DRAM 产品，锁定 AI 伺服器与先进运算所需的高阶记忆体。随着生成式 AI、AI 加速器及大型资料中心快速扩张，HBM 已成为 AI 晶片供应链的重要零组件，SK 海力士也希望透过提前建立先进 DRAM 产能，巩固自身在 HBM 市场的竞争优势。

Y2 的投资内容不仅包括晶圆制造设施，也涵盖研发综合中心、员工配套设施及其他辅助建筑，形成较完整的半导体生产与研发基地。

与此同时，SK 海力士正在建设中的龙仁一期晶圆厂 Y1 进度也持续推进，首个洁净室预计于 2027 年 2 月投入使用。公司正同步推动龙仁半导体集群整体建设，以支应未来多年 AI 记忆体需求。

值得注意的是，SK 海力士已大幅加快龙仁半导体集群的建设时间表。公司原先规画龙仁集群 4 座晶圆厂的整体建设计划要到 2045 年完成，如今已提前至 2033 年，显示 AI 带动的记忆体需求成长速度远超过原先预期。

目前支撑龙仁 Y2 运营所需的一期电力、供水等基础设施建设也已接近完成，完工率达 99%，为后续晶圆厂建设与生产设备导入提供基础。

除龙仁外，SK 海力士也将大笔资金投入清州 M17 工厂。公司计划投资 19.1 兆韩元，预计 2027 年 2 月开工，首个洁净室预定于 2028 年 12 月启用。

清州一直是 SK 海力士重要的 NAND 快闪记忆体生产基地，目前已设有 M11、M12 及 M15 等多座工厂。M17 加入后，将进一步扩大 SK 海力士在 NAND 领域的制造能力，也让公司能够利用当地既有的土地、供电、供水及半导体制造配套，加速新厂建设。

SK 海力士表示，M17 将充分利用清州既有的基础设施与制造体系，并透过不同工厂之间的生产协同，提高整体营运效率。相较于完全从零开始建设新的生产基地，利用成熟的半导体聚落有助于降低建厂时间与相关营运成本。

此次 54.3 兆韩元的投资规模虽然庞大，但 SK 海力士并没有打算立即将所有潜在产能一次投入市场。公司将先完成厂房、洁净室以及电力、供水等基础设施，再按照客户需求与市场供需变化逐步安装生产设备。

这种「先建基础设施、再按需求增加设备」的模式，也反映当前记忆体产业面临的特殊环境。AI 伺服器需求快速成长，使 HBM 与高阶 DRAM 供应持续吃紧，但记忆体产业本身具有高度资本密集特性，如果一次投入大量设备，在市场需求突然反转时也可能造成庞大的资本支出与产能闲置风险。

因此，SK 海力士选择先把厂房与基础设施准备好，再根据客户订单与市场变化决定设备投入速度，在确保未来供应能力的同时，也试图维持资本支出的灵活性。

此次扩产也是 SK 海力士今年 6 月公布中长期投资策略的进一步落实。根据公司规画，未来将向龙仁半导体集群累计投资约 600 万亿韩元，并向清州生产基地追加约 100 万亿韩元，以支撑 AI 时代全球记忆体需求持续增加。

从产品布局来看，龙仁 Y2 将以 HBM 及下一代 DRAM 为主要方向，清州 M17 则进一步强化 NAND 产能，两座晶圆厂分别对应 AI 伺服器快速成长所需的高阶记忆体，以及资料储存市场的长期需求。

这项投资也凸显 HBM 在 SK 海力士未来策略中的核心地位。随着 AI 加速器需要处理的资料量持续增加，HBM 能够提供高频宽、低功耗的记忆体存取能力，已成为 AI 晶片与高效能运算系统不可或缺的关键零组件。

SK 海力士目前已是全球 HBM 市场主要供应商之一，AI 晶片需求快速增加也使 HBM 成为记忆体产业成长最重要的驱动力之一。公司透过龙仁 Y2 提前布局下一代 DRAM 与 HBM 产能，目的就在于确保未来能够跟上 AI 伺服器与高效能运算市场的需求增长。

另一方面，NAND 市场虽然不像 HBM 受到 AI 晶片直接拉动，但 AI 资料中心快速扩张同样需要大量储存空间，云端服务商与企业对高容量储存设备的需求也持续增加。清州 M17 因此成为 SK 海力士完整记忆体产品布局的重要一环。

整体而言，SK 海力士此次投入 54.3 兆韩元、约 383 亿美元的新建厂计划，并不是单纯为了短期增加晶片供应，而是提前建立可以延续至 2030 年代的生产基础。公司透过龙仁 Y2 锁定 HBM 与下一代 DRAM，再以清州 M17 扩充 NAND，形成针对 AI 运算与资料储存需求的双轨扩产策略。

在 AI 需求持续快速成长的情况下，SK 海力士选择先行建立厂房与基础设施，再按照客户需求逐步增加设备与产能，既可以避免供应不足，也能降低一次性大举扩产可能带来的资本支出风险。随着龙仁与清州新产能在 2028 年至 2029 年陆续启用，SK 海力士能否透过这波扩产进一步巩固 HBM 及先进记忆体市场领先地位，将成为 AI 半导体供应链未来数年的重要观察焦点。