2026年「未来记忆体与储存大会」（FMS 2026）近日落幕，从SK海力士(000660KS) 、SanDisk (SNDKV-US) 、铠侠（Kioxia）、迈威尔科技(MRVL-US) 、微晶片科技(MCHP-US) 、美光科技(MU-US) 到瑞萨电子（Renesas），记忆体与储存产业主要业者几乎悉数亮相。各家展示的技术虽各有不同，背后却指向同一个核心问题：当AI模型持续扩张、算力需求快速攀升，传统记忆体与储存架构已逐渐难以满足资料搬移与容量需求。

分析指出，这场大会最值得关注的讯号，并非单一产品刷新多少速度或密度，而是HBM与SSD之间的架构边界正在被重新定义。

从高频宽快闪记忆体（HBF）、高密度QLC NAND，到KV 快取池化与PCIe 6.0储存，各项技术都在试图填补AI运算与资料存取之间日益扩大的落差。

其中，SK海力士与SanDisk共同推动的HBF标准，更可能成为这场架构变革的重要起点。

FMS 2026五大技术亮点：

公司	技术方向	核心数据
SK海力士 × SanDisk	HBF高频宽快闪记忆体标准	容量最高512GB；频宽 0.4～3.0TB/s
铠侠 × SanDisk	第10代3D QLC快闪记忆体	密度提升60%；突破 37Gb/mm²
迈威尔科技	KV快取三级架构	光互连层支援 32TB热KV快取；吞吐量提升 2～3倍
微晶片科技 × 美光	端到端PCIe 6.0储存	64GT/s／每通道；支援后量子加密
瑞萨电子	第三代MRDIMM晶片组	最高 16000MT/s；频宽提升 25%

SK海力士、SanDisk推HBF，试图填补HBM与SSD之间的空缺

AI伺服器目前面临一项愈来愈明显的矛盾：HBM具备极高频宽，但成本与容量存在限制；SSD容量大、成本相对低，却难以提供HBM等级的资料传输速度。

SK海力士与SanDisk选择从两者之间寻找新的解决方案。两家公司透过开放运算专案（OCP）发布全球首个高频宽快闪记忆体（HBF）标准规范，试图利用NAND Flash的容量优势，同时大幅提升资料传输能力。

依据该规范，HBF最高容量可达512GB，采用8层或16层NAND堆叠设计；频宽则分为不同等级，约涵盖每秒0.4TB至3.0TB。与处理器之间的连接则采用UCIe高速互连介面，使HBF有机会直接连接GPU或CPU。

更值得注意的是，Google(GOOGL-US) 与Tenstorrent也已加入相关阵营。这代表HBF并非单纯由记忆体厂商推动的新产品概念，而是开始获得云端业者与晶片设计公司的关注。

若这项规范持续获得产业支持，HBM与SSD之间可能不再只是单纯的速度与成本二选一，而会逐渐形成更细致的记忆体阶层。

铠侠、SanDisk强攻QLC，密度突破每平方毫米37Gb

除了建立新的记忆体层级，NAND Flash本身的成本与容量竞争也仍在持续。

铠侠与SanDisk公布第10代3D QLC Flash技术，宣称相较第8代产品，位元密度最高提升60%，突破每平方毫米37Gb，并将其定位为QLC位元密度的新基准。

此次技术升级采用332层堆叠架构，同时重新设计晶片布局，并结合「CMOS直接键合到阵列」（CBA）技术，将CMOS逻辑电路与记忆体阵列分别制作后再进行晶圆键合。

两家公司表示，新架构也让QLC NAND首次达到4.8Gb/s的介面速度，并支援Toggle DDR 6.0与独立命令地址（SCA）协定。此外，透过「电源隔离低抽头终端」（PI-LTT）方案，也进一步改善I/O资料输出的功耗效率。

对AI与云端资料中心而言，储存设备的竞争并不只是速度，更涉及每单位容量的成本与能源效率。因此，提高单一晶片能够提供的储存容量，仍是降低整体基础设施成本的重要方向。

迈威尔科技从KV 快取下手，重新思考资料该放在哪里

AI推理工作负载快速成长后，KV 快取逐渐成为记忆体容量的重要负担。大型模型在处理长上下文时，需要保存大量注意力机制相关资料，使原本就有限的高频宽记忆体资源承受更大压力。

迈威尔科技此次提出的方案，并非单纯追求单一储存元件的效能，而是从伺服器、机架到整个丛集三个层级重新配置KV 快取。

在伺服器端，迈威尔科技推出Bravera SC6 PCIe 6.0 SSD控制器，效能为前代PCIe 5.0 Bravera SC5的两倍，目标是将更多KV 快取移往SSD，释放HBM等高价值记忆体资源。

在机架层级，Structera X则利用CXL建立记忆体池，让多台伺服器能够共享记忆体资源，降低单一伺服器记忆体不足造成的限制。

至于更大规模的丛集，迈威尔科技利用光子结构、网路卡与晶粒建立光互连共享记忆体层，可在50公尺范围内连接加速器机架，最高支援32TB「热」KV 快取。公司表示，在不增加资料中心空间与功耗的情况下，Token吞吐量可提升2至3倍。

分析指出，这套架构的重点，在于将「资料距离运算单元有多远」本身视为可以重新设计的系统参数。

微晶片科技、美光跑通PCIe 6.0端到端储存架构

PCIe 6.0也成为本届FMS的重要技术焦点之一。

微晶片科技与美光共同展示PCIe 6.0端到端储存架构，将微晶片科技Switchtec PCIe 6.0扇出交换晶片与美光9650 NVMe SSD结合。

PCIe 6.0每通道资料传输速率达64GT/s，是PCIe 5.0的两倍。微晶片科技表示，要真正发挥PCIe 6.0 SSD的效能，从处理器到交换器再到储存装置的完整链路都必须同步升级。

Switchtec PCIe 6.0交换晶片采3奈米制程，支援错误隔离、诊断与多播等功能，并加入硬体信任根与安全启动机制，同时支援符合CNSA 2.0的后量子密码技术。

美光方面则将9650定位为量产型PCIe 6.0 SSD。双方强调，这套架构有助于推动可组合、解耦式资料中心设计，让运算与储存资源可以分开扩充。

瑞萨MRDIMM速度达16000MT/s，延续DDR5平台

在伺服器主记忆体方面，瑞萨电子推出第三代DDR5多路复用等级双列直插记忆体模组（MRDIMM）晶片组，最高伺服器资料速率达16000MT/s，较第二代产品提升25%。

这套方案由第三代多路复用寄存时钟驱动器RRG5013与多路复用资料缓冲器RRG5103构成，并搭配电源管理晶片、SPD Hub与温度感测器。

其中一项重要特点，是新方案仍建立在既有DDR5基础设施与标准DIMM实体尺寸上。对伺服器业者而言，这代表提升记忆体频宽不一定需要重新设计整个平台，有望降低导入新技术的门槛。

FMS 2026真正的主题：AI正在重新定义「记忆体阶层」

从HBF到QLC、KV 快取、PCIe 6.0与MRDIMM，这些技术表面上分属不同市场，但背后其实都在处理同一个问题：AI运算速度已经快到传统记忆体与储存架构开始成为瓶颈。

其中最值得关注的仍是HBF。

过去的AI资料中心架构相对容易理解：上层是速度快、成本高的记忆体，下层则是容量大、成本低但速度较慢的储存。如今，AI模型规模与上下文长度持续增加，单靠这两个层级已难以有效处理所有工作负载。

HBF所代表的方向，就是在HBM与SSD之间建立新的资料存取层。

但新的层级也意味着新的复杂度。资料究竟应该放在HBM、HBF还是SSD？什么时候搬移？如何管理不同层级之间的资料？这些都将成为系统设计的新课题。

因此，FMS 2026带来的最大变化或许不是某项单一规格突破，而是产业开始正面承认：AI时代的记忆体问题，已经不是单纯「把某一种记忆体做得更快」就能解决，而是必须重新设计整个资料储存与搬移的阶层。

当HBM、HBF、CXL记忆体、PCIe SSD与NAND开始共同构成新的资料路径，未来AI伺服器的竞争，也将从单一晶片效能，进一步延伸到谁能更有效率地管理整个记忆体与储存体系。