长鑫科技(688825-CN) 推进4F² DRAM架构，引发市场对记忆体技术与成本竞争的关注。美光(MU-US) 总裁暨技术与产品长Scott DeBoer正面回应，公司经长期评估及原型验证后，仍将维持6F²架构，并直接迈向3D DRAM，认为后者在长期扩展性与成本效益上更具优势。

DeBoer于10月21日主持技术与产品线上研讨会，回应长鑫揭露4F²计划后引发的投资人疑虑。他指出，美光并非未曾探索这项技术，而是在评估后认为，现有6F²架构仍是迈向3D DRAM之前更具吸引力的选择。

长鑫拚年底推新品 美光坚守6F²

长鑫总裁曹堪宇10月10日揭露，公司计划年底推出采用4F²架构的新一代DDR5 RDIMM。相较主流6F²架构，晶片面积可缩减约30%，让单片晶圆产出更多晶片，因此受到业界高度关注。

4F²的吸引力在于提高位元密度、降低成本。若能在相同制程节点缩小记忆体单元面积，便有机会增加每片晶圆的晶片产出。然而，美光认为，面积缩小能否转化为持续的成本优势，仍取决于其他制程限制。

微缩关键在电容 制造成本仍是考验

DeBoer表示，决定DRAM位元密度与成本能否持续改善的关键，是电容器间距，而非仅是电晶体结构。若电容间距无法同步缩小，改用4F²架构并不代表成本优势就能持续扩大。

瑞银分析师Timothy Arcuri团队在会后报告指出，美光对4F²的另一项疑虑，是垂直通道电晶体（VCAT）的后续发展限制。这类电晶体除了持续缩减间距，缺乏可持续的演进路径。

此外，VCAT对原子层沉积（ALD）、选择性磊晶等制程的要求，也增加制造复杂度，量产成本可能侵蚀晶片面积缩小带来的效益。

德意志银行分析师Melissa Weathers在报告中指出，美光已对4F²进行数十年的内部评估，并开发过原型，但最终仍决定不转向这项架构，而是在产业迈向3D DRAM之前，持续采用6F²。

三星评估导入 产业路线尚未一致

美光的选择尚非产业共识。除了长鑫积极推进4F²，瑞银研究也指出，三星电子(005930KS) 传出考虑在未来0a奈米节点导入这项架构，以缓解电容高深宽比带来的制程压力。

依据相关规画，三星预计2027年完成1d奈米节点的6F²量产，再于2028年底前推进0a奈米节点的4F²导入，与美光维持6F²、再转向3D DRAM的方向有所不同。

瑞银将美光的布局解读为平行推进技术路径，类似先前在1-beta节点上，对是否采用极紫外光（EUV）技术所做的准备。美光认为，3D DRAM最终将与自身技术路线接轨，成为更具扩展性与成本效益的长期方案。

瑞银并指出，若美光判断正确，产业最终转向3D DRAM，沉积与蚀刻设备供应商可望受惠。

AI布局扩及封装、逻辑整合与NAND

除了回应4F²竞争，美光也在研讨会强调，AI记忆体需求并不限于训练使用的高频宽记忆体（HBM），还涵盖推论、边缘AI与自动驾驶，相关产品包括LPDDR6、DDR6、SOCAMM及1TB大容量RDIMM。

先进封装方面，美光将混合键结视为未来16层堆叠及更高规格HBM的重要竞争优势，并积极与晶圆代工厂合作开发vHBM，将记忆体垂直堆叠于运算核心上方。

美光借此强调，AI时代的记忆体竞争，已从单一位元成本，延伸至记忆体、封装与逻辑架构的系统整合。公司也展示超过400层的Gen11 NAND技术蓝图，瞄准AI对高每秒输入／输出操作次数（IOPS）及高频宽储存的需求。

法人审慎看待 量产与良率待验证

对于长鑫4F²计划的冲击，法人看法相对审慎。野村证券认为，4F²与3D DRAM在2028年之前的展望期间内，都不会产生实质影响，并预估长鑫4F²量产要到2027至2028年才能实现。

中信证券也指出，4F²目前仍处早期验证阶段，良率、产量及客户认证有待观察，对中期记忆体产业格局的影响有限。长鑫宣布年底推出产品，与后续能否稳定量产，仍须分别看待。

另一方面，长鑫HBM业务尚在起步，短期难以充分受惠于AI带动的高溢价需求。在通用DRAM涨价幅度收敛之际，其产品结构也相对缺乏缓冲。

TrendForce数据显示，通用DRAM合约价季涨幅，已由2026年第一季的93%至98%，收敛至第三季的13%至18%，第四季预估进一步降至10%至15%。