市场传出台积电 (TSM-US) 应辉达 (Nvidia)(NVDA-US) 要求，研拟先进记忆体 3D DRAM 制造计划，并评估自建新厂或收购既有厂房改建。不过，台积电重申将持续专注专业晶圆代工、服务全球逻辑晶片产业，未证实相关投资。

《Tom’s Hardware》分析，3D DRAM 即使对既有记忆体大厂而言，距离成熟商用仍有多年。台积电若投入，不仅需要建立不同于逻辑晶片的制程能力，还须承担庞大资本支出与记忆体景气循环风险，难以借此解决眼前的供应短缺。

《The Information》6 日引述两名知情人士报导，台积电应辉达要求，开始规划 3D DRAM 制造，可能采取兴建新厂，或收购现有半导体工厂后改建等方式，但尚未揭露量产时间表。

报导称，相关计划由台积电副总经理徐国晋主导。徐国晋负责研究发展及先进封装技术发展，职掌涵盖 3D IC 与先进封装系统整合技术，过去曾担任台湾美光董事长，具有记忆体产业经验。

针对传闻，台积电发言人向《Tom’s Hardware》表示，不评论市场传闻或臆测，强调公司的核心业务始终是专业晶圆代工，目标是持续成为「全球逻辑晶片」产业，值得信赖的技术与产能供应商。辉达则未立即回应外媒置评请求。

台积电 ADR (TSM-US) 大涨 6.33% 至每股 375.56 美元，折溢价达 15.27%，换算价为 2461.04 元。

华邦电董事长焦佑钧 7 日表示，跨足 DRAM 必须克服自主技术与专利门槛，考量台积电与记忆体业者已有紧密合作，他评估台积电自行投入 DRAM 产品开发的可能性不高。他认为，台积电若决定投入，会在技术准备成熟后才对外说明，但强调相关看法属个人推测，并未向业者求证。

3D DRAM 与 HBM 不同　难解短期缺货

技术上，本文所指的 3D DRAM 与目前 AI 市场大量采用的高频宽记忆体 (HBM)，虽然都涉及垂直堆叠，堆叠的层级却不同。HBM 主要将多颗 DRAM 晶粒堆叠并互连；3D DRAM 则是在记忆体制造架构中，将记忆单元向垂直方向配置，以提高单位面积的容量。

这项差异意味着，台积电既有的先进封装能力，不能直接等同于具备 3D DRAM 制造技术。

DRAM 与逻辑晶片需要不同的制程能力，而 3D DRAM 还须解决多层记忆单元的制造、缺陷控制与良率问题。美光、三星及 SK 海力士均在开发相关技术，但距离成熟商用仍有一段路；以美光为例，其技术规划仍包括持续推进多代平面 DRAM 制程。

该媒体判断，台积电即使投入相关开发，也难以在至少五年内借此缓解目前的记忆体短缺，显示这类布局更偏向长期技术与产能规划。

收购仍须长期投资　跨足制造牵动合作关系

《Tom’s Hardware》分析，收购具有自有晶圆厂的特殊型记忆体业者，可能让台积电取得部分技术、人才与智慧财产，降低从零起步的难度。但小型业者通常不具备最先进的大宗 DRAM 制程，后续仍可能需要数十亿美元及多年研发投入，才能建立具竞争力的技术。

投资风险也不仅限于技术。记忆体缺货与价格上涨往往刺激扩产，但当新增产能集中开出，又可能造成供过于求，压低价格与获利，使投资回收面临不确定性。

此外，台积电若自行制造 DRAM，也可能改变与既有合作伙伴的关系。

SK 海力士于 2024 年宣布与台积电合作，规划将台积电先进逻辑制程用于 HBM4 的逻辑基底晶片；若台积电进一步跨入记忆单元制造，双方可能同时存在合作与竞争关系。

HBM 基底晶片、先进封装　仍可分享记忆体商机

台积电仍可透过生产 HBM 逻辑基底晶片、运用 SoIC 混合键合技术整合记忆体与处理器，以及携手创意与既有 DRAM 业者开发客制化方案，提高在先进记忆体供应链中的附加价值。

这些途径可延伸台积电既有的逻辑制程与先进封装优势，同时降低自行建立完整 DRAM 制程及新建晶圆厂的资金负担，让公司持续分享 AI 记忆体需求成长带来的商机。