花旗银行分析师 Atif Malik 6 月 17 日发布最新研报，将美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 目标价从 840 美元大幅上调至 1,200 美元，维持买入评级。1,200 美元的新目标价对应公司 2027 年预期每股收益 10 倍估值，测算潜在总回报约 17.6%。

此次上调的背景是：美光股价年初至今已上涨约 258%，12 个月累计涨幅达 748%。花旗上调目标价的同时，德意志银行也在同日将目标价从 1,000 美元上调至 1,500 美元。美光将于 6 月 24 日发布 2026 财年第三季财报。

DRAM 价格预测

花旗预计 2026 年 DRAM 平均售价（ASP）全年上涨 200%，主要受「加速的 Token 增长和供给受限」驱动的资料中心需求支撑。

按季看，环比涨幅依次为：

• 2026 年第二季度：上涨 37%
• 2026 年第三季度：上涨 13%
• 2026 年第四季度：上涨 11%

数据验证方面，DRAM 现货价格自 1 月初以来已上涨 52%，自 4 月初以来上涨 22%，目前现货价格较合约价格高出 21%，预示合约价格「应继续走高」。

NAND 价格预测

花旗预计 2026 年 NAND 平均售价全年上涨 186%，分季度环比涨幅依次为 45%（Q2）、17%（Q3）、6%（Q4）。

花旗同时指出，DRAM 供应趋紧可能推动基于 NAND 的补充记忆体技术（如 KV 快取等）更广泛地采用，为 NAND 市场提供额外的需求支撑。

供需格局分析

花旗预计 2026 年全球 DRAM 将出现 5% 的供给缺口，本轮产业上行周期有望延续至 2027 年，HBM 产品明年价格将继续攀升。

花旗认为，今年记忆体涨价主要来自常规 DRAM 的供需失衡，而非 HBM——例如美光 2026 年 DRAM 位元产能增速预计仅为 42%。常规 DRAM 的供给刚性叠加 AI 资料中心需求的持续爆发，构成了涨价的核心驱动力。

获利预测与估值

花旗同步大幅上调获利预测：

指标	调整幅度	具体数值
F3Q26E 营收 / EPS	上调 6%	—
F4Q26E 营收 / EPS	上调 5%	—
FY26E EPS	上调 4%	—
FY27E EPS	上调 10%	114.73 美元

花旗对 2027 财年 EPS 的预测为 114.73 美元，较市场共识的 110.32 美元高出 4%，上调主因是对产品均价，尤其是 HBM 价格前景的乐观预期。

估值方面，花旗给予美光 2027 年预期 EPS 的 10 倍估值，并指出这一倍数「低于最近三年 17 倍的峰值」，以反映当前「elevated gross margins（异常高的毛利率）」和近期关于 DRAM 因供给受限而在 Vera Rubin 中降规格（de-specing）的报导。

花旗 6 月 17 日报告的上调逻辑可归纳为以下四个关键支点：

价格超预期是直接催化剂

花旗上调目标价的首要依据是「年初以来记忆体晶片价格走势超市场预期」。DRAM 现货价格年内已上涨 52%，4 月以来上涨 22%，现货较合约溢价 21%，这些数据为合约价继续上调提供了充分证据。

常规 DRAM 供需失衡是涨价主力

花旗特别指出，今年记忆体涨价主要来自常规 DRAM 而非 HBM。这一判断具有重要含义——市场可能将本轮涨价过多归因于 HBM 的 AI 需求，而忽视了常规 DRAM 领域同样严重的供需失衡。美光 2026 年 DRAM 位元产能增速仅 42%，远不能满足需求增长。

「Vera Rubin 降规格」信号强化涨价预期

花旗在报告中提及「近期关于 DRAM 因供给受限而在 Vera Rubin 中降规格（de-specing）的报导」。Vera Rubin 是辉达 (NVDA-US) 的下一代 AI 晶片平台，在该平台因 DRAM 供应不足而被迫降低记忆体规格，表明 DRAM 短缺已从「预期」变为「现实约束」，进一步强化了花旗对价格持续上涨的信心。

估值倍数上调反映盈利品质提升

花旗虽将目标价从 840 美元上调至 1200 美元，但估值倍数仅从约 8 倍微调至 10 倍，仍远低于 17 倍的三年峰值。这意味着目标价的上调主要来自 EPS 预测的上调（+10%），而非估值扩张，反映花旗认为美光的盈利增长是「实的」，而非靠市场情绪撑起来的。

花旗 6 月 17 日报告的核心结论是：DRAM 上行周期远未结束，且涨价主力正从 HBM 向常规 DRAM 扩散。2026 年 DRAM 均价上涨 200%、全球 5% 供给缺口、2027 年 HBM 价格继续攀升——这三重判断构成了花旗看多美光的核心骨架。

花旗将 2027 年 EPS 预测上调至 114.73 美元（较此前 + 10%），目标价上调至 1200 美元（对应 10 倍 PE），维持「买入」评级。

投资分析

若 DRAM／NAND 价格按花旗预测路径演绎，美光 2027 年 EPS 达 114.73 美元，以当前股价（约 1100 美元）计算，对应 2027 年 PE 约 9.6 倍——远低于 17 倍的周期峰值。考虑到上行周期中盈利通常存在进一步上修空间，当前估值在超级周期框架下仍具吸引力。

花旗测算的 1200 美元目标价对应的潜在总回报约 17.6%，且这一目标价建立在「低于历史峰值」的估值倍数之上，意味着若市场情绪进一步升温，上行空间可能更大。

第一，股价已充分反映乐观预期。美光年初至今上涨约 258%，12 个月涨幅达 748%。如此巨大的涨幅意味着大量乐观预期已被市场定价，任何不及预期的财报或指引都可能触发剧烈回调。

第二，「Vera Rubin 降规格」是一把双刃剑。DRAM 供应不足导致 AI 晶片降规格，固然证明供需紧张、支撑涨价逻辑，但也暗示过高的记忆体价格可能迫使下游客户调整设计方案，长期看可能抑制需求或加速替代技术（如 NAND-based 方案）的采用。

第三，周期高点的均值回归压力。花旗虽看好 2027 年，但未对 2028 年做出明确预测。历史经验表明，半导体周期的上行阶段结束后往往伴随剧烈的下行调整。当前常规 DRAM 涨价主要靠「供给刚性」而非「需求爆发」驱动，一旦主要厂商打破供给自律、大幅扩产，供需格局可能迅速逆转。

第四，行业共识高度一致的风险。TipRanks 数据显示，31 位华尔街分析师中 28 位给予「买入」评级、3 位「持有」、0 位「卖出」，12 个月共识目标价 1048.57 美元。高度一致的看多情绪通常意味着边际买盘力量在减弱。

关键观察点

2026 年 6 月 24 日： 美光 Q3 FY26 财报发布。花旗预计 Q3 营收达 35.1 亿美元（高于公司自身指引 33.5 亿），实际数据与管理层对 Q4 的指引将是验证花旗预测的关键。

DRAM 合约价走势： 当前现货较合约溢价 21%，后续合约价上调幅度将直接决定盈利兑现节奏。

主要厂商产能扩张动态： 若三星、SK 海力士等竞争对手打破供给自律、大幅扩产，将是周期拐点的关键信号。