长鑫科技科创板疯涨 466% 登顶 A 股 全球储存巨头集体「雪崩」 铠侠单日重挫 18%、SK 海力士 ADR 破发

在中国 DRAM 龙头长鑫科技登陆上交所科创板首日暴涨 465.82%，总市值上 3.28 兆人民币创 A 股历史纪录后，全球记忆体晶片市场正遭遇「分水岭式」震荡，美股、韩股、日股记忆体巨头在周一 (27 日)、周二(28 日) 集体跳水，市场从「AI 记忆体超级周期」的狂热中骤然清醒。

日本记忆体巨头铠侠周二再度重挫，早盘股价暴跌 18%，若该跌幅维持至收盘，将是 7 月内第六次单日跌幅超 10%，SK 海力士周二早盘亦崩一成，本月第 4 次出现 10% 以上的单日跌幅。

周一美股盘中，记忆体类股成为大盘最大拖累。闪迪 (SanDisk) 收跌 11.02%，较 6 月历史高点累跌 47%，一个月内市值蒸发约 1700 亿美元；SK 海力士 ADR 一度跌 10% 至 139.01 美元，跌破 7 月 9 日 149 美元发行价，终场收 143.02 美元，上市不足三周即破发；美光跌 2.25%，西部数据、希捷跌超 4%。费半指数收跌 2.2%，远逊标普 500 与那斯达克的微跌表现。

市场恐慌情绪蔓延至周二亚洲市场。台湾时间 9 点 14 分，南韩综合股指 (KOSPI) 暴跌超过 8%，触发熔断机制，交易暂停 20 分钟，这是韩股今年来第八次触发熔断机制。个股方面，SK 海力士跌近 11%，三星电子跌超 9%。

长鑫科技长周二亦开低 7.71% 至每股人民币 45.22 元，市值 3.02 兆元。2016 年成立的长鑫科技是中国唯一大规模量产 DRAM 的 IDM 企业。

根据 Counterpoint 数据显示，长鑫全球 DRAM 收入份额由 2025 年 Q1 约 3% 跃升至 2026 年 Q1 的 8%，排名第四，前三名依序是三星 (38%)、SK 海力士 (29%)、美光 (22%)。

市场认为，美日韩记忆体股跌成一片的导火线是长鑫 IPO 募资约 579 亿元人民币后，将扩大产能与研发，市场重估「三巨头」长期定价权，深层则是周期魔咒。

今年上半年全球 DRAM 价格累计涨超 2 倍，闪迪半年涨 764% 成标普最强，估值透支后任何供给格局讯号都触发踩踏，加上苹果传出打算采购长鑫晶片替代美光 / 闪迪、韩券商下调海力士财测目标、美韩反垄断诉讼、华强北记忆体降价等利空，投资人集中获利出场。

多数机构认为，HBM 护城河 2 到 3 年内难破，AI 记忆体需求仍是主线，闪迪腰斩、海力士破发、美光回撤 32% 提供布局机会。

但摩根士丹利警告，记忆体终究是周期品，通用 DRAM 利润率将受中国扩产侵蚀。

高盛则指出，无论长鑫进度如何，北方华创、中微、盛美上海等国产设备商为确定性受益方。

这场暴跌本质是「AI 成长叙事」与「半导体周期属性」的赛局。长鑫 IPO 不是业绩冲击，而是心理分水岭，全球 DRAM 从「三强定价」走向「四极博弈」，但 HBM 王座短期仍归三巨头。

专家认为，当前盘势是周期性回吐，还是竞争格局的永久位移，则端视长鑫科技 2026—2027 年 HBM3/E 能否量产的那张良率报表。