南茂 (8150-TW) 今 (11) 日召开法说会，董事长郑世杰表示，尽管终端消费需求仍相对保守，但在记忆体需求稳健、DDR4 需求强劲、DDR5 逐步放量，以及车用与 OLED 产品支撑下，下半年营运动能较上半年维持稳健乐观。

南茂为因应记忆体、高阶逻辑与新产品需求，公司宣布上调资本支出，启动新一轮扩产计划，除了将 2026 年资本支出金额从原先占营收比重 20% 以下，调升至 25% 以上，更预期 2027 年也将维持 25% 以上，进入为期两年的高强度投资期。

郑世杰指出，第三季记忆体仍是主要成长动能，受惠客户需求稳健及备货积极，整体记忆体营运表现可望优于驱动 IC。其中，DRAM 在 DDR4 需求强劲及 DDR5 产品开始放量带动下，第三季成长动能最为明显；Flash 虽受到部分客户库存调整等因素影响，但在季节性备货支撑下，第三季表现仍稳健。

驱动 IC 方面，终端消费需求目前仍偏保守，不过在 OLED 季节性备货及车用产品需求挹注下，南茂第三季 DDIC 营运动能将逐步趋于稳定。整体下半年营运将延续上半年成长动能，维持稳健乐观看法。

郑世杰说，南茂 2026、2027 年将连续两年维持高强度资本支出，主要反映记忆体客户扩充后段封测产能需求，以及手机、ASIC、AI ASIC、光通讯与矽光子等新产品陆续进入投资及量产阶段。

在新产品布局方面，南茂将进一步扩大混合讯号与高阶逻辑测试业务，目前已有数个手机相关产品专案进行中，预计今年底新一批高阶测试机台将陆续到位，并开始进行少量生产，后续若客户需求顺利放大，将进一步扩充相关产能。

此外，南茂也规划依客户产品蓝图进一步切入 AI ASIC 产品，未来将从手机及一般 ASIC 逐步扩展至 AI ASIC 领域，强化混合讯号与高阶逻辑产品线成长动能。南茂今年混合讯号及逻辑相关资本支出约占全年资本支出 7% 至 10%，明年相关投资比重预期将进一步提升。

除 ASIC 外，南茂也将利用既有晶圆凸块、铜柱凸块及后段封测技术，跨入光通讯及矽光子供应链，并依客户后续需求扩充晶圆凸块与封测产能，借此扩大高阶应用布局。

为支应未来成长，南茂计划在南科新厂扩充记忆体测试产能，也积极进行既有厂房空间整并与最佳化，提前为未来 3 至 5 年的营运成长准备产能。