长鑫储存(688825-CN) 宣布在晶片技术上取得重大突破，称其成就已超越三星电子(005930KS) 等追赶多年的竞争对手。这项尚未获证实的说法震撼股市，也反映中国正积极抢进这个关键领域。

这家中国记忆体龙头的总裁曹侃钰上周末在上海举行的一场产业论坛上表示，作为中国记忆体龙头，公司计划推出一款能将更多算力集结於单一元件的新型晶片。

经公司发言人证实，这款即将问世、专为资料中心伺服器打造的产品采用所谓的 4F² 架构设计，预计将于今年底前正式发表。

若长鑫储存确实突破 4F² 技术门槛，意味着尽管面临美国禁令、无法取得艾司摩尔（ASML）最顶尖设备，其进展仍领先三星与 SK海力士(000660KS) 。

虽然曹侃钰并未透露更多细节，但这番受到广泛报导的言论已在全球晶片股中引发抛售潮。

美光科技(MU-US) 周一(12日)收盘下跌4%后，三星与SK海力士周二在南韩股市双双重挫逾7%，拖累南韩综合指数(KOSPI) 走低。

晨星分析师Jing Jie Yu表示，若长鑫存储能成功且率先将4F²架构导入DRAM生产，将大幅提升其相较同业的竞争地位。

不过，记忆体龙头与设备制造商都曾指出，这项技术转型难度甚高，因此预期，长鑫存储从发表4F²产品，到以具商业可行性的良率实现量产，之间还需要相当一段时间。

长鑫储存今夏完成大规模首次公开发行（IPO），并一度跃升为中国市值最高的企业。曹侃钰此时发表宣言，更加彰显该公司欲缩短与外国对手在晶片制造差距的努力，而这正是人工智慧（AI）发展的核心关键。

现行产业采用的 6F² 标准，是指晶片表面积为「特征尺寸」（即电晶体间基础线宽）平方的6倍。三星与 SK 海力士一直在探寻将其缩小至 4F² 的方法，理论上能在更小面积内塞入相同的记忆胞，从而提升效率。

曹侃钰表示，公司正透过堆叠方式改变电晶体的布局结构。

这种所谓的「垂直环绕闸极」（Vertical Surrounding Gate）技术应能减少漏电与其他副作用，而这正是大型竞争对手尝试超越 6F² 标准、进一步微缩尺寸时长期面临的棘手挑战。

若该方案可行，这种全新架构将成为华为与 DeepSeek 等中国企业为绕过美国技术限制，所打造的最新创新绕道范例。

瑞士联合私人银行董事总经理Vey-Sern Ling表示：「投资人情绪不安，正寻找理由，对今年表现强劲的AI相关股票获利了结，尤其是记忆体股。」

华为5月公布「Tau缩放定律」，提出有别于沿用数十年、透过缩小电晶体提升晶片效能的摩尔定律之替代方案。这家中国晶片龙头转而透过LogicFolding技术，加快传输速度并提高晶片内部的电晶体密度。

华为已推出采用这项技术的晶片，并搭载于今年上市的智慧型手机。

长鑫存储正加速扩大先进记忆体产量，以满足激增的AI需求。随着未来几年全球供应短缺开始缓解，具备制造高阶产品的能力，也将有助公司取得更有利的竞争地位。

在辉达(NVDA-US) AI加速器所使用的高频宽记忆体（HBM）领域，长鑫存储仍处于落后地位，但在整体DRAM市场持续稳步推进。

Counterpoint Research汇整的数据显示，截至今年第二季，该公司的DRAM市占率已扩大至10%，高于一年前的4%。