美国银行全球研究最新报告指出，全球储存晶片现货市场的供需失衡持续恶化，在AI基础设施需求强劲、主要晶片厂优先供应大型客户，以及传统消费电子旺季到来等多重因素推动下，预计9月DRAM与NAND现货价格仍有10%至20%的上涨空间。

美银全球研究8月27日发布的报告显示，根据通路调查，9月现货市场的供给满足率 (sufficiency ratio) 已降至不足50%。模组厂商及白牌OEM普遍反映，难以从主要储存晶片供应商取得足量的通用型DRAM与NAND产品，主要原因是大型电子产品制造商取得优先供货，三星电子与SK海力士等主要供应商将更多资源配置给大型客户。

美银指出，尽管现货价格目前已高到使多数IT产品进入负毛利区间，但供给短缺与旺季需求的双重效应，仍将持续推动价格走高。根据DRAMeXchange数据，截至报告发布时，16Gb DDR5现货价格已升至54美元，年初至今上涨85%，创下历史新高；16Gb DDR4现货价格报91美元，较去年同期大涨879%；8Gb DDR4现货价格则报44美元，年增803%。

NAND市场涨势同样强劲。1Tb晶圆现货价格升至31.9美元，较去年同期大涨526%；256Gb晶圆现货价格报16.8美元，单周上涨6%，较去年同期更飙升979%。

美银认为，9月现货供给满足率低于50%的调查结果，也与三星电子的最新说法相互印证。三星电子表示，即使进入明年，高阶GPU与CPU所需DRAM的供给满足率可能仍只有约50%至60%。美银强调，尽管当前价格已使不少IT产品面临毛利率压力，但短缺结构加上传统旺季效应，足以支撑9月现货价格进一步上涨10%至20%。

报告也将辉达 (NVDA-US) 最新释出的2027财年约70%营收成长展望，视为全球储存产业的重要催化剂。美银指出，这项远优于市场预期的成长预测，有助于扭转先前转趋保守的储存晶片投资情绪。更重要的是，辉达的成长指引本身已将储存供应短缺纳入假设，如果实际AI需求进一步超出预期，储存产业的营收与价格弹性可能更大。

美银进一步上调全球DRAM产业的成长预期。报告估算，若2027年全球DRAM平均售价仅成长10%，再加上约19%的出货量成长，全球DRAM销售额年增幅可能超过80%，明显高于先前预估的48%，先前预测的基础为平均售价上涨24%、出货量增加19%。

美银认为，第一个主要推动力来自辉达本身。辉达约70%的成长展望已建立在储存供应受限的前提下，如果AI晶片订单需求进一步走强，或下一代Rubin与Vera平台获得更广泛采用，相关储存需求仍可能带来额外上行空间。

第二个动能则来自客制化AI晶片市场。美银指出，ASIC与TPU阵营正更积极争夺HBM、DRAM与NAND资源，且部分业者愿意支付高于辉达的价格，以确保供应。这使全球储存晶片厂商在新增产能有限的情况下，拥有更强的议价能力。

第三项因素是新增产能可能迅速被大型客户吸收。美银认为，如果辉达及超大规模云端服务供应商持续消化三星电子、SK海力士与美光 (MU-US) 等三大储存晶片厂的新增产能，苹果 (AAPL-US)、中国OEM以及中国台湾模组厂商可能在长期供应协议架构下提出更高的2027年储存晶片报价。在这种情境下，DRAM与NAND平均售价甚至可能出现单季环比上涨10%以上的情况。

美银本周举办涵盖10多家储存晶片及南韩科技企业的虚拟路演，整体产业看法偏向乐观。三星电子表示，即使在长期协议 (LTA) 架构下，DRAM平均售价仍可以按季度协商，目前约60%至70%的晶圆产能已纳入LTA管理。三星新建P4晶圆厂的产能主要将配置给HBM产品，高阶GPU与CPU相关DRAM并未出现降规格 (de-spec) 的情况，因此预估明年的供给满足率仍只有约50%至60%。

SK海力士则表示，虽然龙仁新厂区持续推进，但HBM持续占用大量产能，使整体晶圆产能扩张受到限制，公司目前对大幅扩增传统DRAM及NAND产能兴趣不高。该公司认为，即使LTA供应比例持续提高，近期储存晶片平均售价仍存在相当大的上涨空间。

南亚科技 (2408-TW) 则指出，传统DDR4需求依然非常强劲，新建晶圆厂预计将在2027年第一季开始安装设备，初期目标产能为每月3万片晶圆，并计划于2028年达到完整产能。

储存控制器业者慧荣科技 (SIMO-US) 表示，其企业级解决方案年化营收已由1年前约10亿美元翻倍至接近20亿美元。FADU则预期，2026年下半年至2027年间，企业级SSD (eSSD) 控制器销售额可望成长100%以上。

南韩产业通商资源部数据也反映AI带动的半导体需求持续升温。南韩8月前20天半导体出口金额达260亿美元，较去年同期成长199%，并已连续7个月维持正成长，出口规模创下历史新高。

辉达最新公布的业绩同样成为美银看好储存晶片产业的重要依据。辉达7月季度营收达960亿美元，年增106%、季增18%；其中资料中心营收达890亿美元，年增117%，占总营收比例高达93%。美银美国分析师预期，随着储存成本上升，辉达整体毛利率可能出现温和压缩，但资料中心业务毛利率可望维持在70%以上。

从资本市场表现来看，尽管DRAM与NAND相关类股在7月至8月出现回档，但今年以来涨幅依然相当可观。美银数据显示，三星电子、SK海力士、美光及南亚科技的股价相较2026年初均上涨约2至3倍；SanDisk (SNDK-US) 与Kioxia的今年以来报酬率更超过400%。

不过，美银认为，尽管储存晶片类股大幅上涨，多数DRAM业者目前本益比仍只有约4至8倍，整体估值并不昂贵。报告指出，在辉达公布最新财报后，SK海力士与三星电子股价于8月27日已明显反弹，反映市场重新评估AI需求持续扩张下的储存晶片供应风险。

合约市场的价格涨势则暂时较现货市场温和。16Gb DDR5与DDR4合约价格目前均处于35至40美元区间，8月环比涨幅已收窄至低个位数，低于7月的10%至15%。另一方面，NAND 512Gb晶圆合约价格目前约26美元，较2025年2月低点已上涨约10倍。

美银认为，短期内现货市场与合约市场的价格走势可能仍有差异，但核心问题仍是新增供给速度远不及AI与高效能运算需求成长。随着HBM持续吸收晶圆产能、辉达及云端巨头加大AI基础设施投资，以及消费电子传统旺季到来，全球储存晶片市场的供给紧张情况短期内仍难明显缓解，9月现货价格持续上涨的可能性仍然偏高。