中国记忆体大厂长鑫科技(688825-CN) 周五（28日）晚间公布上市后首份财报，显著转亏为盈。此外，长鑫也正式宣布，其自主研发的新一代低功耗记忆体LPDDR6实现量产。

长鑫科技2026年上半年营运表现大幅成长，营收达1503.1亿人民币，年增873.64%；净利润则达776.05亿人民币，相较去年同期净亏损23.32亿人民币。若以2026年上半年181天计算，长鑫科技平均每日获利约4.29亿人民币。

财报同时揭露，公司自主研发的LPDDR6低功耗记忆体产品进展。长鑫科技表示，LPDDR6相较前代LPDDR5X在性能方面全面提升，峰值传输速率达12,800Mbps，单颗晶片最高容量16GB。

目前相关产品已完成对核心客户的送样验证，并加速推进后续大规模量产。

长鑫科技29日开通微博帐号，并透过首篇贴文宣布LPDDR6正式量产，且将由小米18 Fold新款折叠旗舰手机率先搭载。

小米(01810-HK) 创办人雷军随后发文祝贺，形容相关进展「非常了不起」。

此外，小米自研玄戒O3也将成为首款支援长鑫LPDDR6的平台，并由小米18 Fold率先导入。

这项进展也被视为中国记忆体业者在新一代行动记忆体市场的重要突破。根据长鑫科技披露的资讯，该公司的LPDDR6目前已成为全球首批宣布实现量产并进入终端商用的相关产品。

在CES 2026期间，三星电子与SK海力士分别展示1b-LPDDR6及1c-LPDDR6工程样品；SK海力士3月则宣布完成1c-LPDDR6完整研发验证，峰值速率达14,400Mbps，功耗较LPDDR5X降低逾20%。

两家公司原先均规画在2026年下半年启动量产，但目前尚未完成量产。相较之下，长鑫LPDDR6率先进入量产阶段，虽然峰值速率仍低于SK海力士的产品，但已显示其在高阶LPDDR行动记忆体市场具备竞争力。

更值得注意的是，玄戒O3首发支援长鑫LPDDR6，代表中国低功耗记忆体开始参与新一代旗舰SoC的平台验证与商业化导入。

过去中国LPDDR产品多是在海外SoC平台规格确定后，再进行后续适配；此次长鑫则从较早期阶段便与玄戒O3展开协同调试，显示其角色逐步从单纯供应商，向更深入参与硬体平台开发转变。

DRAM供给紧张延续　长鑫量产不代表记忆体价格下跌

分析指出，尽管LPDDR6正式量产，并不代表全球记忆体价格将因此立即回落。

长鑫科技在财报中指出，2026年下半年全球DRAM市场供给紧张的格局预计仍将延续。

公司表示，DRAM是现代记忆体产业的重要产品，伺服器、智慧手机、个人电脑等主要终端，以及智慧汽车、智慧穿戴装置等新兴应用快速发展，都持续推升DRAM需求。

从供应端来看，三星电子、SK海力士及美光科技目前仍占据全球DRAM市场大部分市占率，而中国同样是全球主要DRAM需求市场之一，为中国本土记忆体厂商提供进一步发展空间。

DRAM产业本身具有高度周期性，市场供需变化会直接影响产品价格与业者获利。

回顾近年市场走势，DRAM产业在2023年上半年经历深度下行周期，2023年下半年开始快速回暖，2024年产品价格整体回升。

到了2025年，随着全球算力需求快速成长，加上主要记忆体厂商进行产能配置，DRAM市场转为供不应求，价格明显上涨。

2026年上半年后，全球DRAM供给紧张情况持续，产品价格进一步走高。

在记忆体价格持续上涨及LPDDR6逐步量产的背景下，长鑫科技下半年营运表现也因此受到市场关注。