中国半导体记忆体业者长鑫存储(长鑫科技)宣布在 4F² DRAM 架构设计上取得技术进展，并规划于 2026 年底前推出新一代 DDR5 RDIMM 伺服器记忆体。此项技术进程反映出该公司在传统二维平面架构渐趋物理极限之际，转向三维架构领域发展的战略转折。

4F² 垂直架构与混合键合之技术机制

据报导，在 DRAM 技术演进中，主流市场长期采用 6F² 结构，但微缩制程已接近电容物理极限。长鑫存储采用的 4F² 垂直包围闸(VSG)架构，将电晶体沟道改为垂直排列，使单一记忆体储存单元面积缩减约三分之一，在相同晶圆面积下，储存密度可提升 30% 至 50%。

在制造工艺方面，该架构结合 12 吋晶圆级混合键合(Hybrid Bonding)技术，将外围逻辑电路(CMOS)与储存单元阵列拆开制造后进行三维整合。这种设计解耦策略使厂商得以透过底层结构创新与三维工程技术提升晶片密度与效能，从而降低对极紫外光(EUV)微影设备的单一依赖。

市场供需调整与财务表现

全球 DRAM 市场于 2025 年至 2026 年间出现显著供需结构变化。由于全球主要记忆体制造商将先进晶圆产能优先调配至高频宽记忆体(HBM)与高阶 DDR5，HBM 所消耗之晶圆量约为传统 DRAM 的 3 倍。

在主要厂商逐步减少 DDR4 供应的情况下，成熟制程记忆体出现供需缺口，DDR4 单颗现货价格由 2025 年 11 月的约 12 美元升至 2026 年 10 月的 46.321 美元。

受惠于市场供需调整与产能爬坡，长鑫存储的财务数据显著成长。2025 年该公司全年营收为 617.99 亿元人民币，归母净利润为 18.75 亿元人民币；2026 年上半年营收达 1,503.10 亿元人民币，归母净利润为 776.05 亿元人民币，主营业务毛利率为 84.84%。

最新业绩预告显示，其 2026 年前三季预计营收将达 2,650 亿至 2,700 亿元人民币，预计归母净利润为 1,310 亿至 1,325 亿元人民币。

在市场份额方面，2026 年第二季全球 DRAM 销售收入创下历史新高，长鑫存储以 145.45 亿美元营收取得 9.9% 之全球市占率，次于三星(40.2%)、SK 海力士(26.1%)与美光(21.3%)。其月产能规划预计于 2026 年底突破 30 万片，并朝长期 60 万片以上的规模推进。

产品定位与专利布局

长鑫科技总裁曹堪宇日前公开表示，公司规划首款 4F² 产品为伺服器 DDR5 RDIMM，预计于年底前送交客户进行验证。

针对长鑫存储的市场布局，该公司将首代 4F² 架构直接应用于对稳定性与容错率要求严格的企业级伺服器市场，并搭配已发布的 LPDDR6 移动端储存产品，显示其正加速进入高毛利的高阶记忆体市场。