全球记忆体市场再度掀起涨价潮。业界分析，人工智慧（AI）伺服器与高频宽记忆体（HBM）持续蚕食既有产能，导致传统记忆体晶片供应日趋吃紧，这波紧缩行情恐怕还没走到尽头。

根据《韩联社》报导，市调机构 TrendForce 旗下 DRAMeXchange 最新统计显示，个人电脑常用的 DDR4 8Gb 现货均价于 7 月攀升至 24 美元，单月大涨 14.3%，写下 2016 年 6 月建立统计以来的历史新高；而 128Gb MLC NAND 快闪记忆体均价也首度站上 30 美元关卡，同样刷新纪录。

TrendForce 并预估，随着 AI 伺服器与 HBM 需求持续扩张、排挤传统 DRAM 产能，市场供不应求的局面恐将延续至 2027 年。

相较之下，NAND 市场则有望随新增产能陆续开出，于 2027 年下半年出现改善曙光。

随着各大厂商加速转进高层数产品，以及新厂产能逐步释放，位元供给成长将超越 2026 年。

TrendForce 预计 2026 年 NAND 市场将录得 4-5% 的供给缺口，但 2027 年下半年供需平衡将由负转正，供应紧张将逐步缓解。

不过，消费性电子终端需求持续走弱构成关键变数。 TrendForce 预测 2026 年全球智慧型手机产量将年减 15 到 20%，笔电出货量预计将下降约 10%，2027 年仍可能持续小幅收缩。

智慧型手机和笔电合计仍占 NAND 总需求的近 40%，消费市场的疲软是 NAND 供需反转的重要推手。

年内飙涨逾倍 DRAM、NAND 涨势惊人

回顾今年以来的价格走势，记忆体涨势之猛令业界咋舌。

DDR4 8Gb 均价从 1 月的 11.5 美元一路狂飙至 7 月的 24 美元，短短半年多累计涨幅逾一倍，达 109%。

其中 4 月到 5 月间，价格一口气从 16 美元跳升至 20 美元，进入第三季后更持续改写历史高点。

NAND 市场的涨势则有过之而无不及。128Gb MLC NAND 均价自 1 月的 9.46 美元，一路冲上 7 月的 30.05 美元，累计涨幅高达 218%。

值得留意的是，部分 SLC NAND 产品 7 月价格单月涨幅达 35% 至 51%，远远超越 MLC NAND 约 4% 至 8% 的涨幅，凸显不同产品线之间的供需落差正在扩大。

不过，随着一年多来的涨价已大幅推升下游采购成本，TrendForce 也观察到，终端客户的采购态度已转趋保守，追高意愿下降。

TrendForce 预计第三季 PC DRAM 合约价较上季上涨 13 到 18%，涨幅较第二季（58 到 63%）显著收窄。

AI 伺服器成涨价元凶 供应商掌握谈判优势

这波涨价潮的根本原因，仍出在供给端的结构性转变。

随着 AI 伺服器需求爆发式成长，各大记忆体厂商纷纷将产能优先投入毛利更高的 HBM、伺服器用 DRAM，以及高层堆叠的 3D NAND 产品，大幅压缩传统 PC 用 DRAM 与成熟制程 NAND 的供应。

此外，微软 (MSFT-US) 、亚马逊 (AMZN-US) 、Alphabet(GOOGL-US) 和 Meta(META-US) 等全球四大云端运算巨头持续扩大 AI 基础设施投资，HBM 和伺服器 DRAM 需求不断创造新高。

在 DRAM 供不应求的格局下，下游客户已与三星电子 (KR005930) 、SK 海力士 (000660KS) 、美光科技 (MU-US) 签订了多年长期协议，优先锁定产能供应。目前 HBM 产能已几乎全数售罄至 2026 年底，2027 年大部分产能也已提前被主要客户预订。

同时，AI 已经把记忆体晶片从「价格竞争」推向「产能与技术竞争」。这不是短期供需失衡所造成的波动，而是 AI 时代资源重新分配所带来的结构性改变。

记忆体产业已彻底摆脱过去几年「价格战」、「库存过剩」、「亏损竞争」的旧周期，如今市场讨论的不再是谁降价，而是谁还能拿到货。

TrendForce 预期，伺服器产品未来仍将持续吸纳 DRAM 产能，个人电脑用 DRAM 供应将更加紧绷。

尽管笔电售价上涨已开始抑制终端买气，但在供不应求的态势下，供应商在价格谈判桌上仍占有明显优势。

NAND 市场同样呈现类似的结构性转变。厂商持续将产能向企业级固态硬碟（SSD）及高层 3D NAND 倾斜，导致传统 NAND 产品供应持续偏紧。

其中，库存水位偏低的 SLC NAND 供需最为紧绷，价格表现明显强于 MLC 产品。SLC NAND 广泛应用于汽车电子、网通设备及工业控制等领域。

投资人该如何布局？

分析指出，随着 AI 伺服器与高频宽记忆体（HBM）需求持续攀升，全球三大记忆体厂，包括三星电子、SK 海力士与美光，仍是最直接的受益族群。三家公司市值皆已突破一兆美元，创下半导体产业新里程碑。

其中，SK 海力士凭借 HBM 技术与量产优势，持续稳居市场龙头，目前市占率约 58%，订单能见度已延伸至未来数年。

三星则握有全球最大的 DRAM 与 NAND Flash 市场占有率，并计划在 2026 年进一步提高记忆体事业资本支出，以扩充先进产能。

美光则持续调整产品组合，目前约 70% 产能已投入 HBM 与高阶伺服器记忆体，以因应 AI 市场需求。

此外，随着三大原厂将先进制程与产能集中投入 HBM，高阶以外的 DDR3、DDR4、LPDDR，以及车用、工业控制等成熟产品，反而出现供应相对吃紧的情况，也为其他业者带来切入机会。

其中，中国 DRAM 制造商长鑫科技 (688825-CN) 近年即快速扩张，全球市占率已由 2025 年第一季约 3%，提升至 2026 年同期约 7.7%，跃居全球第四大 DRAM 供应商，显示成熟制程市场仍具成长潜力。

分析指出，随着三星、SK 海力士、美光持续加大 HBM 及先进 DRAM 产能投入，中国长鑫储存、长江储存扩产节奏同步加快，平台化半导体设备商将率先受益。