AI带动高阶记忆体需求持续升温，SK海力士CEO郭鲁正表示，目前全球记忆体晶片供应短缺的局面可能持续到2030年底，短期内看不到明显的产业下行风险。SK海力士并于美国印第安纳州西拉法叶举行首座美国HBM生产基地动土仪式，宣布投资逾40亿美元建设先进封装与研发设施，预计2028年下半年启用洁净室，2029年下半年开始量产下一代HBM4E，进一步扩大美国AI记忆体供应链布局。

郭鲁正27日在印第安纳州普渡大学所在地西拉法叶出席动土典礼后表示，随着AI资料中心、高效能运算及各类AI服务持续扩张，记忆体需求并未出现见顶迹象。他预期，目前由AI需求推动的全球记忆体供应紧张情况将持续至2030年，而即使未来市场成长放缓，也更可能是需求增速下降，而非需求出现大幅萎缩。

他表示，SK海力士将透过新的美国生产基地，为客户提供新的本土HBM供应来源，同时协助强化美国半导体供应链，并为美国的国家安全与经济安全作出贡献。SK海力士指出，该项目将成为美国首个下一代HBM生产基地，目标是在美国建立更完整的AI记忆体生态系统。

SK海力士目前是全球HBM市场的领导者。根据路透报导，公司目前约掌握全球HBM市场58%的营收市占率，AI资料中心对高频宽、高容量记忆体的需求快速增加，也让HBM成为全球半导体供应链最紧缺的产品之一。

此次印第安纳州投资规模超过40亿美元，厂址位于普渡大学研究园区。该设施将包括先进HBM封装产线、洁净室、AI半导体研发中心及测试设施，并与普渡大学合作开发下一代先进封装技术。SK海力士预计，该基地未来将与超过100家合作伙伴建立半导体生态系统，并创造约7,000个直接与间接就业机会。

公司规画，印第安纳州新厂将于2028年下半年开始洁净室运作，2029年下半年启动下一代HBM产品量产。路透报导指出，SK海力士的目标是在2029年第3季开始量产HBM4E，这将是公司下一代高频宽记忆体产品在美国的大规模生产计划。该厂最终目标是达到每年数十万片晶圆的产能规模，预计到2030年成为美国关键的HBM生产基地之一。

不过，印第安纳州项目的核心并非前段晶圆制造，而是先进封装。HBM必须将多个DRAM晶片垂直堆叠，并透过先进互连技术整合为高性能记忆体产品，因此封装是HBM供应链中不可或缺的一环。SK海力士此次在美国建立的设施，将强化HBM后段制造能力与研发，而大部分先进记忆体晶圆制造与扩产仍将集中于韩国。

美国政府近年积极推动半导体制造回流，美国商务部长卢特尼克今年7月也曾要求SK海力士及三星电子等主要记忆体制造商，考虑在美国投资建设先进记忆体晶圆厂。面对是否进一步扩大美国前段制造投资的问题，郭鲁正表示，公司正在寻找合适机会，对「任何地点、任何国家」都持开放态度，并将持续扩大在美国的投资与合作。

印第安纳州共和党州长Mike Braun则表示，SK海力士的新项目将成为印第安纳州历史上规模最大的开发计划之一，也象征美国正在建立新的AI半导体供应链能力。SK海力士表示，该基地未来正式商业营运时，预计将有约1,000名人员在当地工作。

郭鲁正进一步指出，到2030年，SK海力士在美国的投资与资产总额预计将超过450亿美元。公司近年持续扩张美国布局，包括AI相关投资，以及旗下美国子公司Solidigm的业务。SK海力士今年7月也以SK Hynix(SK Hynix-US)之名登陆那斯达克，透过股份出售筹资265亿美元，创下外国企业赴美上市募资的新纪录，反映资本市场对AI记忆体需求前景的高度期待。

除了美国投资外，SK海力士正同步在韩国进行大规模产能扩张。公司今年6月公布中长期投资策略，规画在龙仁、清州及西南部半导体聚落合计投入约1,100兆韩元，其中龙仁半导体园区长期投资规模预计达600兆韩元。公司原先规画至2045年完成龙仁第4座晶圆厂，如今已将时程大幅提前，目标2033年前完成第4座晶圆厂建设，以因应AI记忆体需求快速成长。

SK海力士在龙仁的第1座晶圆厂(Y1)也加速建设，第一间洁净室启用时间已从原订2027年5月提前至2027年2月。公司2月宣布，到2030年底前将在Y1新设施投资21.6兆韩元，使第1座晶圆厂整体建设投资规模提高至约31兆韩元。

公司本月再宣布投资约54兆韩元，建设龙仁Y2及清州M17两座新晶圆厂，其中龙仁Y2投资35.2兆韩元、清州M17投资19.1兆韩元。Y2预计于2027年7月动工，目标2029年6月启用第一间洁净室，将生产HBM及其他下一代DRAM产品；M17则预计2028年12月启用第一间洁净室，扩大DRAM与NAND产能。

SK海力士引用市调机构Omdia预测指出，全球DRAM与NAND需求在2025年至2030年间的年复合成长率(CAGR)预计均可达19%。公司认为，AI正在改变记忆体产业的基本结构，记忆体不再只是传统电子产品的零组件，而逐渐成为决定AI系统效能的核心基础设施，因此这波需求成长不应单纯视为短期的半导体超级循环。

AI模型规模持续扩大，加上资料中心业者大量部署GPU与AI加速器，也同步推升HBM需求。辉达(NVDA-US)日前释出的强劲长期营收展望，再次提振市场对AI基础设施投资持续性的信心，并带动包括SK海力士在内的全球记忆体与半导体股走高。市场目前的关键问题，已从AI需求是否持续成长，转为供应链能否在未来数年提供足够的HBM、DRAM及其他高效能记忆体产品。

郭鲁正表示，他目前没有看到记忆体产业即将出现重大下行循环的明确讯号。即使未来AI投资增速下降，他认为需求仍可能维持成长，只是成长速度放慢，而不是像过去传统记忆体景气循环般出现剧烈崩跌。他也表示，对2030年以后的市场前景并不感到担忧。

整体而言，SK海力士对记忆体市场的长期判断，凸显AI已重新塑造产业供需结构。在传统消费电子需求之外，AI训练、推论、云端服务及主权AI资料中心正在创造新的庞大记忆体需求，而HBM更成为AI运算系统中最难快速扩充的关键环节之一。随着SK海力士同步加码韩国晶圆厂与美国先进封装基地，全球记忆体产业的新一轮产能竞赛也正加速展开。

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