美光(MU-US)台湾董事长卢东晖今(1)日表示，受惠AI带动记忆体需求持续强劲，美光正加快全球扩产脚步，台湾桃园、台中、铜锣及台南四大制造基地全面扩建与装机，其中，台中新增的HBM先进封装二厂预计10月中正式启用，进一步扩充HBM相关产能。

卢东晖指出，美光在台湾布局已超过30年，目前员工人数超过1.5万人，涵盖前段晶圆制造、后段封测、HBM制造、研发、产品开发、销售及实验室等功能。截至今年6月，美光在台累计投资金额已超过新台币1.6兆元、约520亿美元，其中约一半投资集中在最近4年，显示AI与先进记忆体需求带动下，美光在台投资速度明显加快。

在桃园方面，美光正于Fab 11既有基地内新建Fab 11E，由于既有厂房兴建年代较早，在楼板承重、设备高度及维修空间等条件上，难以完全符合EUV设备需求，因此决定另建专门支援EUV与下一世代先进DRAM制程的新厂。

卢东晖指出，Fab 11E不仅是为现阶段EUV设备设计，也同步考量未来更高阶设备对建筑结构与承重的需求，期望新厂可支援未来20年的技术演进。Fab 11E已于7月30日动土，预计2028年上线。

铜锣则是美光近期扩产速度最快的基地之一。卢东晖指出，美光今年2月接手铜锣P5厂后，不到两周第一批设备便开始进驻，目前已有超过百台、接近200台机台进厂，现阶段主要限制甚至已不是厂房，而是设备供应商能否加快交机速度。

除了既有P5厂快速装机，美光也同步推进铜锣第二座晶圆厂建设。由于原厂设计主要服务成熟制程逻辑与较成熟DRAM，美光为导入更先进DRAM与EUV设备，已重新调整部分建筑及基础设施设计，目标明年下半年推进至下一阶段。

台中后里目前则是美光在台最大的制造基地，美光2013年进入后里园区时，使用面积约占当地园区23%，如今已提高至约73%，显示过去十余年持续扩大布局。随着HBM需求快速攀升，美光原有先进封装空间也逐渐不足，因此自去年起将既有仓储及传统制造空间改造成先进封装二厂，预计今年10月中完成并启用，后续将正式投入HBM相关生产。

此外，美光仍持续扩大后里周边土地布局，除了因应生产空间需求，也增加办公室、停车场及其他支援设施。卢东晖表示，制造基地形成群聚后，对生产成本、营运效率、人才流动及供应链支援都有显著帮助，美光也将铜锣与后里视为「大台中制造基地」的一部分。

在台南方面，美光去年取得友达(2409-TW)既有光电厂后，持续进行大规模改造。由于面板厂与晶圆厂对电力、水、气体、化学品及废水处理等基础设施需求差异甚大，美光也同步取得周边土地，建置中央动力厂房等配套设施。

其中，原有一座约11公尺高的仓库已被改造成三层楼晶圆制造空间，第一批机台也已于9月初开始移入，代表台南基地逐步从厂房改造阶段进入设备装机及量产准备。

卢东晖指出，目前从桃园、台中、铜锣到台南，各基地几乎都在同步施工、扩建与装机，每个地方都在大兴土木，反映目前记忆体市场需求强劲，美光正全面加快在台产能建置。

他并表示，美光近年的先进DRAM制程完成研发后，多数都优先在台湾导入，包括1α、1β及1γ世代，其中1γ更是美光首代导入EUV的DRAM制程。随着部分较成熟的1α产能逐步转往美国Virginia生产，也可进一步释出台湾厂房空间，导入更先进制程。

展望后市，卢东晖指出，美光预期未来至少两年客户需求仍将维持强劲，全球研发、制造及产能调配都必须持续加速，台湾也将持续扮演美光全球先进DRAM及HBM布局的重要制造基地。