特斯拉(TSLA-US) 执行长马斯克周四（15日）在社群平台 X 发文指出，中国到2028年将能大规模生产随机存取记忆体（RAM），引发市场对中国半导体产业加速追赶的关注。南韩金融专栏近期也示警，随着中国新增产能陆续开出，南韩记忆体产业可能在2029年面临供给过剩，若未能在未来2至3年培养新的成长动能，现有的产业优势恐将逆转。

根据外媒报导，马斯克此次发言，是针对南韩金融专栏相关分析作出回应，也让全球记忆体产业的竞争格局再度成为市场焦点。

在人工智慧（AI）带动记忆体需求持续攀升之际，中国产能扩张的速度，以及南韩业者能否维持技术领先，将成为未来几年的重要观察指标。

马斯克两天前已在 X 公开肯定美光科技(MU-US) 的定价策略，认为该公司对未来记忆体价格的态度相当合理，也正透过适当的商业决策争取客户长期支持。

相较之下，他批评部分供应商的报价高得令人难以接受，并直言客户永远不会忘记这种做法。

尽管马斯克并未明确点名批评对象，但全球DRAM市场长期由三星电子(005930KS) 、SK海力士(000660KS) 与美光三大业者主导，南韩媒体普遍将他的言论解读为针对两家南韩记忆体大厂。

业界消息指出，马斯克的评论与摩根大通近期看好记忆体产业的研究报告有关。该报告认为，全球记忆体供需失衡可能持续至2028年，而马斯克借由相关讨论，表达对部分供应商定价行为的不满。

摩根大通估记忆体供不应求至2028年 HBM市场规模看增

摩根大通指出，记忆体市场基本面较90天前明显转强，目前需求远高于供给。该行预估，全球记忆体供给缺口2026年约为20%，2027年降至19%，2028年进一步缩小至15%。

高频宽记忆体（HBM）市场的成长前景同样受到看好。摩根大通预估，HBM市场规模将从2026年的约640亿美元，扩大至2027年的1,600亿美元，并于2028年进一步攀升至2,800亿美元。

在供应合约方面，美光的长期客户协议数量已从16份增加至26份，合约期限延伸至2030年，涵盖公司超过35%的营收，剩余履约义务总额达1,500亿美元。此外，美光2027会计年度超过75%的产出已获客户承诺采购。

市场策略分析师Shay Boloor在 X 指出，未来当供应逐渐宽松时，美光有机会将马斯克所说的客户「好感」，转化为更长期的合约与更高的市场占有率。

中国记忆体技术加速追赶 全球大厂市值承压

马斯克日前也曾指出，中国一旦掌握特定产品的制造技术，扩大产量的能力往往可能超越全球其他地区的总和，并以锂电池与太阳能板产业为例。

他进一步分析，约三年前，记忆体还是一种利润率偏低、规格标准化的商品，而LPDDR5与LPDDR6采用通用规格，中国似乎正迅速掌握相关技术。

不过，他认为，新一代HBM架构、SRAM层，以及3D堆叠RAM面临的散热挑战，仍是中国制造商较难克服的技术门槛。

市场对中国记忆体产业崛起的担忧并非毫无根据。中国长鑫科技(688825-CN) 近期传出晶片设计取得进展，能在更小的空间内整合更多记忆体。这项消息已对全球主要记忆体公司的股价造成显著影响。

10月12日，美光市值单日蒸发约520亿美元，SK海力士减少约415亿美元，Sandisk(SNDK-US) 则下滑约150亿美元。

股价方面，美光10月14日收盘下跌4.08%，收在914.13美元。费城半导体指数当日则下跌4.30%，连续第六个交易日走低。

南韩记忆体产业面临转型压力 供需反转风险升温

马斯克发表上述言论的时机格外敏感。南韩记忆体产业正面临来自中国的结构性竞争压力，而身为全球最大电动车制造商的掌舵者、同时也是AI基础设施的重要客户之一，马斯克公开评论供应商的定价策略，无疑为记忆体产业的竞争格局增添新的变数。

产业分析师指出，若中国制造商如马斯克所言，能在2028年实现记忆体大规模量产，全球记忆体市场的供需结构将面临根本性调整。

面对中国加速追赶，南韩制造商能否维持在HBM领域的技术领先地位，将是未来2至3年的重要观察指标。

值得注意的是，马斯克公开支持美光，可能反映下游客户对记忆体价格持续上涨的不满情绪日益加深。在AI基础设施投资带动记忆体需求激增之际，主要制造商的定价能力大幅提升，但客户端承受的成本压力也随之累积。

摩根大通的报告描绘了记忆体供应短缺的乐观前景，但马斯克对中国产能的预测，以及南韩金融专栏对供给过剩的警告，则为这项前景增添阴影。记忆体产业的景气循环，如今正同时面临技术追赶与地缘政治因素的双重考验。