三五族磊晶厂IET-KY(4971-TW)英特磊于今(12)日举办法说会，并公告今(2026)年第3季财报，受惠于国防相关锑化镓及砷化镓订单增加，挹注高毛利产品出货比重提升，单季税后纯益5,900万元、季增高214.31%、年增98.06%，EPS为1.26元。展望未来，英特磊董事长高永中表示，明(2027)年随着磷化铟(InP)基板供应缓解加上新产品陆续量产、国防产品放量，公司对业绩呈现乐观看待。

英特磊第3季营收为3.19亿元、年增26.84%；税后纯益为5,900万元、季增214.31%、年增98.06%；营业毛利1.24亿元、年增55.07%；毛利率38.72%、年增7个百分点； 营业利益率18.16%、年增4.7个百分点。

累计前3季营收9.08亿元、年增19.3%，毛利率40.72%，营业利益1.76亿元、年增76.14%；税后纯益1.57亿元，EPS为3.58元，已超越去年全年度获利。法人推估英特磊今年全年获利有望挑战历史新高。

高永中表示，公司在第3季国防客户需求明显增温，也带动高附加价值的磊晶产品出货增加，推升营收季增24.64%，毛利率也第2季提高，加上产品组合改善带动本业获利提升及客户需求强劲，目前公司在半导体基板及关键原料价格亦明显上涨，公司将持续与客户协商调整售价，适度反映材料成本变化。

高永中强调，今年前3季营业利益年增逾七成，营业利益率亦较去年同期提高7.1个百分点，主要为本业营运改善带来的获利成长。

在国防产品线部分，高永中指出，GaSb(锑化镓)红外线探测器磊晶片受惠国防客户今年底加速下单，估202年国防和商用订单规模将持续扩大，公司规划明年启动第四台GaSb生产机台，提升供货效率，产品亦获国防及商用大厂第四季追加订单，出货动能可望延续。

磷化铟部分，仍为英特磊最大核心产品线，受惠AI资料中心高速传输需求成长，PIN PD磊晶片订单持续增加，惟产出仍受限于InP基板供应短缺，公司正透过协助欧洲供应商改善良率、自行研磨回收基板等方式增加原料来源；新兴APD及HBT磊晶产品亦准备于2027年导入量产。

新产品研发上，英特磊也强调，持续开发量子点雷射(QD Laser0及变晶型PIN磊晶片，目前QD Laser初期研发表现超过预期，而m-PIN采用价格较低、供应相对稳定的GaAs基板生长InP PIN结构，有机会在InP基板缺货情况下切入部分光接收器(PD)市场，降低对传统InP基板的依赖，成为未来AI高速光通讯的重要技术布局。

产能布局上，高永中强调，德州新厂2期预计2027年第1季完工，德州晶片法案补助持续按期请款，美国联邦晶片法案补助预期今年底完成签约。与光圣(6442-TW)换股后持有的股权列为长期策略性金融资产，相关公允价值变动反映于其他综合损益及股东权益，不影响当期EPS。

展望2027年，英特磊将以国防高毛利产品扩产、InP基板供应改善及新产品量产为三大成长方向，在国防与AI高速光通讯双重需求带动下，争取营收及本业可望获利持续成长。