随着 AI 运算需求快速攀升，全球通路大厂大联大 (3702-TW) 旗下诠鼎集团携手东芝 (Toshiba) 举办线上研讨会，公司表示，东芝最新的矽基半导体与 SiC 元件产品，为 AI 伺服器、资料中心及工业电源提供高功率密度与高效率设计的新选择。

东芝聚焦矽基低压 / 高压金氧半场效电晶体 (MOSFET) 与碳化矽 (SiC) MOSFET 等产品，并结合高功率应用参考设计，协助工程团队加速产品开发并缩短研发时程。

大联大表示，全球能源转型持续推进，电源技术正朝向更高能效、更高功率密度及更低整体成本发展。面对日益严格的能效标准与愈趋紧凑的系统设计空间，功率元件选型与电路拓扑设计已成为影响产品效能的重要关键。

台湾东芝电子零组件 FAE 经理叶侑哲 (Peter Yeh) 指出，因应 AI 算力快速成长带来的高功率密度需求，电源架构正加速朝高压直流 (HVDC) 方向演进。东芝也已规划完整的功率元件发展蓝图，结合自有设计与制程能力，全面布局矽基与 SiC 功率元件产品。

在 40V 及 80V 低压 MOSFET (LVMOS) 的技术与产品规划中，东芝正透过新一代制程持续优化导通电阻 (Rds(on)) 表现。近期已上市的 U-MOS11-H 80V 系列产品，其中的 TPM1R408RH 型号产品在 Rds(on) 与闸极电荷 (Qg) 等关键指标上展现优异性能，且具备良好的温度特性与整体效率表现。

针对 600V 及 650V 高压 MOSFET 产品，DTMOSVI 系列产品提高参杂浓度以降低 Rds(on) 及缩小 Die size，大幅提升效能及竞争力，其 Rds(on)×Qgd 指标已达到业界先进水准。基于 DTMOSVI 600V 平台开发的高速恢复二极体（HSD）系列，相较前一代产品在 Qg、反向恢复电荷 (Qrr) 及高温损耗等方面皆有显著改善，进一步提升整体转换效率。

在备受关注的 SiC 领域，东芝亦公布离散式 SiC MOSFET 产品发展蓝图。下一代沟槽式闸极 MOSFET 将率先推出 QDPAK 封装，后续并将逐步扩展至更多封装形式、电压等级与导通电阻产品系列。

目前东芝已量产的第三代 SiC MOSFET 具备低 Rds(on) & 温度飘移特性，透过内建萧特基二极体 (Schottky Barrier Diode，SBD) 抑制晶格缺陷导致的 Rds(on) 漂移，同时缩小晶片尺寸，以达到更好的性能表现及提升产品竞争力。

在晶片技术发展方面，东芝下一代沟槽式 SiC MOSFET 预计可将单位面积导通电阻（Rds(on)×A）较第三代产品降低超过 50%，同时进一步改善 Rds(on)×Qgd 等关键效能指标，有望提供更具成本效益的 SiC MOSFET 解决方案。此外，跨导能力提升后，元件可支援 15V 驱动电压（VGS），显著提升易用性；第三代 SiC SBD 则可提供业界最低的 Vf(1.2V)，范例中，应用于功率因数校正（Power Factor Correction，PFC）电路，能有效提升整机效率。

为协助工程师快速完成设计验证并缩短产品上市时程，东芝亦提供涵盖电源管理与马达控制的完整参考设计资源，结合最新功率元件与典型电路拓扑，可直接应用于 AI 伺服器电源、资料中心备援电源及工业开关电源等场域。

随着 AI 算力需求持续攀升，资料中心机柜功率密度已由过去数 kW 至数十 kW，快速提升至数百 kW 等级，并随着 800 VDC 架构导入，进一步朝 MW 级 AI rack / rack-scale power system 发展，电源转换效率与功率密度成为系统设计的重要课题。

此次大联大诠鼎与东芝携手举办技术研讨会，不仅展现东芝在矽基与 SiC 功率元件领域的完整布局与技术实力，也为电源工程师提供更具参考价值的元件选型与设计方向。未来，大联大诠鼎将持续携手东芝，以高效率功率元件结合在地化技术支援，协助亚太地区客户于 AI 伺服器、资料中心及工业电源等应用领域，打造兼具高效率与高可靠性的创新设计。