由矽谷华人许富菖创立的 AI 记忆体公司 NEO Semiconductor，今 () 日于全球记忆体与储存产业年度盛会 FMS 2026，发表新一代 AI 晶片内建记忆体技术 X-SRAM，并同步推出 NEO.AI 平台。宏碁 (2353-TW) 创办人暨台积电前董事施振荣表示，看好 NEO Semiconductor 持续推动 AI 记忆体创新，并期待这些突破为台湾及全球半导体产业带来更多可能。

该平台整合 X-SRAM 与 3D X-DRAM 两项核心技术，致力解决 AI 晶片内建记忆体容量不足，以及高频宽记忆体（HBM）容量与功耗限制等两大挑战。同时获得国际专家评审肯定，不仅彰显 NEO Semiconductor 在 AI 记忆体创新的领先地位，也进一步提升公司于全球半导体产业的能见度。

随着生成式 AI 与大型语言模型快速发展，AI 晶片对记忆体容量的需求持续攀升。然而，传统 SRAM 于先进制程已逐渐接近微缩极限，使晶片内建快取容量成长受限，导致 HBM 存取增加、功耗与成本同步提升，形成日益严重的 AI Memory Wall。

NEO Semiconductor 表示，X-SRAM 采用全新记忆体架构，在完全相容先进 Nanosheet CMOS 制程下，可提供最高 5 倍于传统 SRAM 的记忆体密度，使 AI 晶片内建记忆体容量可望由目前约 200 至 400MB 提升至 1 至 2GB，并预估降低 HBM 存取功耗约 50% 至 80%。此外，X-SRAM 亦具备未来发展 3D SRAM 的潜力，可望将记忆体密度进一步提升 20 倍以上。

许富菖亦于主题演讲中分享 3D X-DRAM 最新进展。该技术采用创新的 3D NAND-like 架构，突破传统 DRAM 微缩限制，并已与国立阳明交通大学产学创新研究学院（IAIS）及国家实验研究院台湾半导体研究中心（TSRI）完成概念验证（POC）测试晶片开发，目前正持续朝商业化迈进。

宏碁集团创办人暨台积电前董事施振荣表示，AI 正快速改变全球产业，而记忆体将是支撑下一阶段 AI 发展的重要关键。很高兴看到 NEO Semiconductor 持续推出 X-SRAM 与 NEO.AI 等创新技术，为突破 AI 记忆体瓶颈提供新的方向，也期待这些创新能为台湾及全球半导体产业带来更多可能。

NEO Semiconductor 创办人暨执行长许富菖表示，当传统记忆体逐渐接近物理极限，AI Memory Wall 已成为下一代 AI 发展的重要挑战。透过 NEO.AI 平台整合 X-SRAM 与 3D X-DRAM，我们希望同时提升晶片内建记忆体与 HBM 容量，打造更高效、更具扩充性的 AI 记忆体架构。我们也正积极寻求与全球晶圆代工伙伴合作，共同推动 X-SRAM 技术开发，加速下一代 AI 记忆体技术商业化，携手推动 AI 运算迈向新的世代。