中国DRAM大厂长鑫储存（CXMT）在材料技术上取得新进展。长鑫已将过去主要由三星电子(005930KS) 、SK海力士(000660KS) 与美光(MU-US) 等领先业者采用的高介电常数（High-k）材料，导入最新一代DRAM产品并进入量产，显示其正快速缩小与产业龙头的技术差距。

TechInsights资深副总裁Jeongdong Choi于周四(27日)举行的记忆体产业趋势网路研讨会上，说明先进DRAM技术的最新发展。他指出，TechInsights分析显示，长鑫已成功将高介电常数金属闸极（HKMG）技术导入G4制程及LPDDR5X产品。

High-k材料主要用于绝缘层，可降低电路之间的漏电流。相较传统二氧化矽（SiO₂）闸极介电层，High-k材料能在相同电压下储存更多电荷，有助于进一步缩小元件尺寸。三星、SK海力士与美光约在四至五年前开始采用这类材料，如今长鑫也将其导入量产制程，代表技术追赶再向前推进。

全球DRAM市场长期由三星、SK海力士及美光三大厂主导，三家公司持续推动12奈米级DRAM与高频宽记忆体（HBM）商业化，扩大高附加价值AI记忆体产品出货。身为后进者的长鑫，目前已利用G4、也就是16奈米级制程，实现DDR5及LPDDR5产品商业化，G5的15奈米级DRAM制程也在研发中。

在HBM方面，长鑫正使用G3、即18奈米级DRAM制程进行HBM2E风险量产。HBM2E属于第三代HBM产品，公司同时也已针对采用G4制程的HBM3展开送样。

Choi表示，长鑫目前在HBM技术上仍落后业界领先厂商约两个世代，但其产品蓝图正持续朝更高效能的记忆体解决方案推进。

面对长鑫加速追赶，三星、SK海力士与美光也开始布局下一代DRAM架构。TechInsights研判，三星与SK海力士较可能采用4F² DRAM，美光则可能直接转向技术难度更高的3D DRAM。

4F² DRAM将传统平面记忆体单元改为垂直结构，可较目前常见的6F²架构进一步缩小单元面积，提高单位面积的储存密度，改善资料处理能力与功耗表现。3D DRAM则透过垂直配置位元线或字线，在相同晶片面积内整合更多记忆体单元，并降低元件干扰。

不过，3D DRAM需要导入新材料、键合技术及更复杂的制程创新，商业化仍面临制程复杂度与良率挑战。Choi认为，若在D0a世代导入，4F² DRAM现阶段仍是较务实的候选方案。