《MarketWatch》报导，美光科技(Micron Technology)(MU-US)与其他记忆体厂商必须在满足客户需求与避免产品供过于求之间取得微妙平衡，否则一旦记忆体市场转差，可能面临产能过剩的问题。

不过，在目前供应极度吃紧情况下，一名分析师认为，美光大幅提高产能将带来「庞大机会」，公司有望从强劲需求中获利。而一份最新报导显示，美光似乎正朝这个方向前进。

据南韩新闻网站《Electronic Times》报导，美光据称正投入资金，计划在今年底前将高频宽记忆体(HBM)产能提高一倍。

报导指出，美光希望追上南韩SK海力士(SK Hynix)(SKHY-US)与三星电子(Samsung Electronics)的产能，以改善12层HBM4的供应。这是最新一代HBM产品，将用于辉达的Rubin GPU等晶片。HBM是透过堆叠动态随机存取记忆体(DRAM)晶片制成，而美光、SK海力士与三星电子都是全球主要DRAM供应商。

J.Gold Associates分析师Jack Gold指出，像美光这类记忆体厂商多年来一直「困在相对低成本的标准型记忆体制造」领域。如今，HBM这类高阶产品的需求「几乎无止境」，「这为供应商带来重大机会，可以从中获取可观利润，因为产品的利润率相当高。」

《Electronic Times》报导，美光去年HBM月产量约为4万至5万片晶圆。这意味着，若按照目前传出的计划，每月增加6万片晶圆产能，年底HBM月产能可能达到约10万片。

不同于一般用途的DRAM，HBM是一种专用型记忆体，速度更快、能源效率也更高，因此非常适合人工智慧应用。这些优势也让记忆体厂商能够为HBM产品收取更高价格。

美光股价也因此大幅飙升，周五收涨6.1%，今年以来累计上涨256%。

同时，AI驱动的需求也造成DRAM及其他类型记忆体与储存产品严重短缺，进而挤压消费电子等其他市场。Gold指出，尽管美光、SK海力士与三星电子都已宣布扩建更多晶圆厂产能，但整个过程仍需要数年时间。

因此，三家公司都开始将现有产能从低成本记忆体转向HBM，Gold表示，这也进一步加剧了整体记忆体供应吃紧的情况。

Gold表示，「传统上，记忆体短缺不会永远持续，而记忆体厂商希望在市场周期再次转向供过于求之前，尽可能把握这波行情带来的好处。」

预计在可预见的未来，记忆体需求仍将远远超过供给。

D.A. Davidson总经理Gil Luria表示，目前需求「已经超过现有供给的两倍，而且仍在快速成长」。因此，即使美光进一步提高HBM产能，在这段期间内「很可能仍不足以满足市场需求」。