美光(Micron)(MU-US)将于9月30日公布第四季财报， 《TheStreet》报导， 在记忆体价格创历史新高之际，来自其客户与竞争对手、位于产业链上下游的最新讯息，其重要性几乎与美光自身财测不相上下。

辉达(Nvidia)(NVDA-US)自身财报数据率先定调。在8月26日举行的第二季财报电话会议上，财务长Colette Kress告诉投资人，公司目前面临「极端的记忆体价格环境」，并表示「记忆体价格涨幅已超出我们先前预期，而且明年还会进一步走高」。

这种价格压力已经开始反映在辉达的利润率上。Kress预期，第四季毛利率将触底于71%至72%，之后在2028会计年度回升至72%至73%，届时，辉达自身产品重新调价后，可望抵销投入成本上升的影响。

Kress也从另一个角度描述这波供应紧缩，直接凸显美光的机会。

她谈到，「当前的记忆体短缺，很大程度上是由AI基础设施建设本身所推动。」换言之，紧张的供应并非辉达业务的阻力，而是推动辉达自身成长的同一波需求激增所产生的结果。

SK海力士进一步释放短缺讯号

释放记忆体供应紧张讯号的不只有辉达。高频宽记忆体(HBM)市场龙头SK海力士(SK Hynix)(SKHY-US)，预计记忆体市场最快也要到2030年才会达到供需平衡。

这项时间表意味着，美光的记忆体价格顺风可能还有数年时间可以延续。

SK海力士也正投入大量资金支持这项判断。公司承诺投入约383亿美元，在2031年前扩建南韩境内两座厂区，包括龙仁(Yongin)的HBM与下一代DRAM晶圆厂，以及清州(Cheongju)的新NAND厂。

这项投资反映出SK海力士认为，AI驱动的产业周期是一项结构性趋势，而非又一轮繁荣与衰退周期。

SK海力士在高毛利记忆体市场的主导地位，也让这项信心格外值得注意。该公司目前约占HBM市场50%，大幅领先三星的33%与美光的18%，意味着对AI记忆体实际需求紧张程度的掌握也最为直接。

美光财报前的市场布局

美光近期公布的数据已显示，记忆体价格上涨正逐步转化为实际业绩。公司2026年的HBM供应已经售罄，并开始开发下一代HBM4E产品。同时，记忆体晶片价格第一季几乎翻倍，市场原本就预期第二季将进一步大幅上涨。

这股动能也促使华尔街持续上修对美光的预期。摩根士丹利今年6月已将美光目标价大幅上调至1,200美元，理由是记忆体供应紧张及AI需求强劲。

戴尔上调AI伺服器销售预测，也为美光业务带来另一项潜在利多。

不过，并非所有分析师都持续上调目标价。BMO Capital在8月开始追踪美光，给予「优于大盘」评级及1,300美元目标价。花旗则因担心DRAM与NAND价格可能在2027年走弱，将目标价下调至1,150美元。

这也提醒投资人，即使处于历史性的上升周期，记忆体仍是一项周期性产业。

美光目前特殊之处，在于其成长速度与估值之间存在明显落差。受HBM业务强劲表现带动，美光市值今年已突破1兆美元，但目前预估本益比仍仅约6.6倍。

相较之下，标普500指数的预估本益比约为21倍，意味着即使美光获利成长极为强劲，其估值仍存在相当大的折价。

这项折价部分反映出投资人过去曾在记忆体产业景气繁荣与衰退循环中遭受损失。考量过去产业周期反转速度相当快，部分投资人对此抱持怀疑并非没有道理，花旗对2027年价格走势较为谨慎的看法也反映了这项疑虑。

尽管如此，随着辉达形容记忆体价格处于极端水准且仍持续上涨，而SK海力士预计最快要到2030年才会达到供需平衡，目前指向美光9月30日财报的各项讯号，整体偏向下一季业绩可能再次超出市场预期。

这可能使美光目前偏低的估值，与其基本面成长速度之间的落差进一步扩大。