记忆体股本周遭遇猛烈卖压，除了全球股市动荡，中国竞争升温与2029年可能供给过剩的疑虑，也让投资人重新检视AI带动的记忆体荣景能走多久。过去5个交易日，SK海力士(SK Hynix)(SKHY-US)重挫26%、三星电子(005930-KR)下跌22%，美光(MU-US)则跌约11%。

据《CNBC》报导，这波跌势背后有两大焦点：中国长鑫存储(CXMT)的新技术是否威胁既有大厂，以及目前积极扩产的记忆体业者，是否将在数年后面临产能过剩。不过，分析师对长鑫的量产能力仍有疑问，2029年供给过剩的预测也尚未形成市场共识。

长鑫新架构引发戒心 量产良率仍是关键

市场最初的不安来自长鑫存储本周稍早宣布，计划推出采用新架构的伺服器记忆体产品。这项设计可提高储存密度，引发投资人担心，长鑫可能借此抢走三星、SK海力士与美光的全球市占。

然而，部分分析师质疑，长鑫是否能将这项先进技术转化为大规模生产。Quilter Cheviot全球科技研究主管巴林杰(Ben Barringer)指出，架构改变后，能制造晶片只是第一步，更重要的是良率。

他举例说，若良率只有50%，就意味着一半晶片因效能不佳而必须报废。这是说明量产挑战的假设情境，并非长鑫实际良率。

Rosenblatt Securities资深研究分析师卡西迪(Kevin Cassidy)也认为，长鑫的最新进展不太可能为市场带来足以改变局势的新增供给。他表示：「我们不认为这会改变供需平衡。」

2029年供给过剩说升温 马斯克也谈中国扩产

另一项引发交易员讨论的消息，来自南韩《每日经济新闻》一篇评论文章。作者呼吁南韩政府为AI热潮可能降温预作准备，并寻找及培育下一个主要成长动能。

根据《CNBC》翻译，该文引述首尔大学一名黄姓教授及南韩半导体产业协会执行董事安基铉(Ahn Ki-hyun)的看法，预期2029年将出现「大量新增供给」，让记忆体市场沦为竞争激烈的「红海」。作者并表示，到2030年，超级循环可能结束，产业可能进入下行期。

特斯拉(TSLA-US)与SpaceX(SPCX-US)执行长马斯克也在X回应这篇文章，称中国「2028年将生产大量RAM」。RAM即随机存取记忆体，主要供应商包括三星、SK海力士、美光及长鑫。

若2029年确实出现供给过剩，记忆体价格与业者利润率可能承压。不过，这项时间较远的预测，目前尚未获得其他分析师普遍呼应。

扩产仍需数年 长约可能缓和价格下跌

过去，记忆体主要客户是智慧手机、笔电等消费性电子业者；如今AI热潮推升需求，记忆体也成为辉达(NVDA-US)晶片及资料中心供应链的重要环节。供给吃紧带动价格空前上涨，也曾推升三大记忆体厂股价大幅走高。

投资人如今关注的是，AI是否改变了产业长期以来的荣枯循环。传统上，需求超过供给会推升价格，随后业者扩产，供给过剩又使价格下跌。目前主要记忆体厂都在增加产能，但新厂从兴建到投产约需3至5年，因此许多分析师预期，缺货情况要到2028年才会缓解。

然而，供给改善未必代表价格重挫。Counterpoint Research预估，2028年DRAM价格将较2027年下跌约23%，但仍比2025年高出约230%。

该机构资深研究分析师崔正九(Jeongku Choi)表示，记忆体市场已进入「新常态」，未来下行循环将与以往不同。供应商与买方签订3至5年长期供货协议，搭配大额预付款及价格上下限，以提高交易稳定性。因此，即使产业进入下行期，价格也不太可能出现过去那种剧烈跌势。