Counterpoint Research 最新《全球储存追踪》报告指出，全球 DRAM 市场格局正加速洗牌。三星电子 (005930KS) 第二季市占率持续攀升，重回 2024 年以来高点；SK 海力士 (000660KS) 则因市占率下滑，与快速追赶的美光科技 (MU-US) 形成激烈竞争。此外，中国 DRAM 厂长鑫科技 (688825-CN) 高速成长，正为全球记忆体产业带来新的变数。

报告数据指出，三星电子在今年第二季成功拿下全球 DRAM 市场 39% 的营收份额，稳居龙头宝座。

相较之下，尽管 SK 海力士第二季营收缴出年增 214% 的表现，但其市占率却从去年同期的 39% 骤降至 26%；而美光科技的市占率则攀升至 25%，悄悄来到海力士身后，双方差距仅剩 1 个百分点。

长约策略成「此消彼长」关键

分析指出，今年第二季传统 DRAM 价格较上季显著上涨，但高频宽记忆体（HBM）价格则较去年同期走低。受现有 HBM3E 产品降价以及 HBM4 量产延迟影响，HBM 平均售价降幅较为明显。

随着传统 DRAM 持续走扬，目前相对较低的 HBM 价格预计将在 2027 年迎来大幅上涨，这也成为三星与 SK 海力士此消彼长的核心原因。

Counterpoint 研究总监 MS Hwang 分析说明，SK 海力士的出货量与营收中，HBM 的占比为竞争对手中最高，因此在 HBM 价格下跌时受到的冲击较大。

此外，海力士较竞争对手更早签署长期协议（LTA），在记忆体价格上涨的周期中，也间接影响了营收的弹性空间。

不过，对海力士而言，随着辉达与 AMD 新一代旗舰 AI 机架开始出货，带动 HBM4 出货量增加，仍具备潜在利多支撑。

尽管如此，Counterpoint 仍预期美光科技凭借强劲的成长动能，有机会超越 SK 海力士，跃居全球 DRAM 第二大厂商。

研究副总裁尼尔 · 沙阿（Neil Shah）指出：「美光的 DRAM 营收自 2025 年第二季度以来已成长 5 倍。这最终将取决于谁拥有足够产能，避免将利润拱手让给竞争对手，以及长期供应协议如何形成。」

长鑫科技高速崛起 剑指全球三强

在三大巨头激烈厮杀的同时，中国 DRAM 龙头长鑫科技以高达 716% 的年增率，成为全球成长最快的 DRAM 供应商，引发市场高度关注。

沙阿认为，如果长鑫能够顺利扩大产能、提升技术能力，并成功从 PC 市场及海外一线客户切入，其市场份额将可望快速提升。

随着长鑫的崛起，市场焦点已从「长鑫能否进入全球记忆体三强」转变为「长鑫何时能够跻身这一阵营」，储存产业的竞争格局预计在一年后将发生显著变化。