美光科技(MU-US)正大举扩张高频宽记忆体(HBM)生产能力，目标是全球AI记忆体市场更大市占。

据韩联社周五(4日)援引业内知情人士透露，美光计划在今年年底前将HBM月产能提升至约10万片晶圆，较去年增幅接近一倍，届时与三星电子和SK海力士(SKHY-US)之间的产能差距有望缩小至目前的一半左右。该公司同时正加速推进最新一代HBM4 12层产品的量产爬坡，以匹配辉达(NVDA-US)新一代AI加速器的需求。

美光周五收盘大涨6%，至每股1,016.59美元。

此动向反映出AI记忆体市场需求持续旺盛。以辉达为代表的AI晶片厂商对HBM的需求居高不下，供给仍追赶不上需求节奏。对于市占仅18%、长期位居第三的美光而言，此轮产能扩张既是争夺市场地位的关键一役，也是将AI记忆体需求红利转化为实际营收的必要之举。

业内知情人士向媒体透露，美光计划在今年年底前新增最多月6万片晶圆的HBM产能。去年该公司HBM月产量约为4至5万片，这意味着新增产能将超过原有基数，总产能规模有望达到约月10万片。

为实现上述目标，美光正向多家HBM制造设备供应商增加采购订单，相关设备持续运入其台湾和新加坡工厂。目前，美光HBM封装业务主要在台湾铜锣厂和新加坡兀兰厂推进，日本广岛厂的设备投资也在筹备之中。

在产品结构上，美光正快速向HBM4 12层倾斜。目前其HBM产量仍以HBM3E 12层为主，但据悉HBM4 12层的占比将从今年初的20%至30%，提升至年底的最高50%。

HBM4 12层是辉达最新AI加速器「Vera Rubin」的配套记忆体，美光已于今年第二季度启动该产品量产。美光执行长Sanjay Mehrotra在今年6月的2026会计年度第三季财报会议上表示，HBM4 12层的量产爬坡速度约为HBM3E 12层的两倍，HBM4累计出货收入已突破10亿美元。

尽管美光是全球三大HBM制造商之一，但其产能与三星电子、SK海力士相比仍存在明显差距。业内普遍认为，三星和SK海力士各自的HBM月产能约为15至20万片，分别是美光的3至4倍。若美光无法缩小这一差距，将难以改变长期位居第三的市场格局。

根据Counterpoint Research数据，今年第二季全球HBM市占中，SK海力士以50%位居首位，三星电子占32%，美光占18%。若产能扩张目标如期实现，美光与两大竞争对手之间的产能差距有望压缩至目前的一半水平，市占的重新分配或将随之而来。