中国DRAM大厂长鑫科技(688825-CN) 在全球记忆体市场的市占率持续攀升。市场研究机构Counterpoint Research近日发布最新全球DRAM市场分析指出，2026年第2季全球DRAM市场营收年增385%、季增57%，长鑫科技营收市占率则首度达到10%，排名全球第4。

从主要业者来看，三星电子(005930KS) 仍以38%的营收市占率居冠，SK海力士(000660KS) 以25%排名第2，美光科技(MU-US) 则以24%位居第3。长鑫科技则以10%市占率紧追在后，年增4个百分点、季增2个百分点。

这也是长鑫科技单季DRAM营收市占率首次达到双位数。2023年时，长鑫科技全球DRAM营收市占率还不到1%，去年第2季则升至4%，今年第1季进一步攀升至8%，第2季再提高至10%。

Counterpoint Research今年8月初原先预估，长鑫科技2026年第2季DRAM营收市占率约为7%。

不过，随着长鑫科技母公司长鑫科技8月底公布上半年财报，其业绩表现明显超出原先预期，因此Counterpoint在最新报告中将长鑫科技市占率修正至10%。

财报显示，长鑫科技2026年上半年营收达1503.1亿元人民币，年增873.64%；归属于上市公司股东的净利润为776.05亿元人民币，相较去年同期亏损23.32亿元，已扭亏为盈，且上半年业绩已超越2025年全年。

根据已公布的第1季业绩计算，长鑫科技第2季营收约995.1亿元人民币，年增977.4%、季增约95.9%；归母净利润达528.43亿元人民币，年增由亏转盈，季增113.4%。

相较之下，三星第2季营收171.5兆韩元，年增130%、季增28%；SK海力士营收79.3187兆韩元，年增257%、季增51%；美光2026会计年度第3季（截至5月28日）营收为414.56亿美元，年增346%、季增74%。

这显示长鑫科技第2季营收的年增与季增幅度，均明显高于全球前三大DRAM业者。

三大DRAM厂转向HBM 长鑫科技趁势扩充常规DRAM

不过，三星、SK海力士与美光的营收增速低于整体DRAM市场，与其产能配置变化有关。三大DRAM业者自去年第4季起，将更多产能转向毛利率较高、AI加速器所需的高频宽记忆体（HBM），使常规DRAM产品的产出减少。

美光此前曾表示，生产1份HBM3E需要消耗3份DRAM产能。随着常规DRAM供应缩减，相关产品价格大幅上涨，最新研究显示，常规DRAM的利润率目前已与HBM持平，甚至超越HBM。

在此背景下，主要生产常规DRAM的长鑫科技迅速扩充产能，进一步受惠于市场供应吃紧与价格上涨。

相关报导指出，长鑫科技DRAM产品定价仅比南韩与美国同类产品低5%至10%，并未采取市场新进业者常见的大幅折价策略，代表其营收成长主要反映供应受限环境下的实际销量增加，而非依靠价格战抢占市场。

DDR5效能缩小差距 长鑫科技成本劣势仍超过30%

在产品性能方面，2026年2月Hardware Unboxed进行的游戏基准测试显示，长鑫科技消费级DDR5产品的表现已与三星、SK海力士同类产品大致相当。

长鑫科技目前也已量产最新LPDDR6记忆体，首款产品目标速率为12,800 Mbps（12.8 Gbps），符合JEDEC标准，但比SK海力士采用1c制程的LPDDR6产品14.4 Gbps设计上限低约11%。

SK海力士LPDDR6采用第6代10奈米级（1c）制程，并导入EUV微影技术，相较LPDDR5X速度提升33%，功耗效率提升超过20%。

由于艾司摩尔(ASML-US) 的EUV曝光机及部分高阶浸没式DUV设备对中国出口受到限制，长鑫科技目前DRAM产品制造路线仍依赖DUV微影技术，在一定程度上限制技术演进。

目前三星、SK海力士与美光的高阶DRAM产品均已推进至第5代10奈米级（1β／1b nm）制程。其中，三星与SK海力士自第4代10奈米级（1α／1a nm）制程便开始导入EUV，美光则自第6代10奈米级（1γ／1-gamma）制程开始导入EUV。

虽然DRAM制造商可以透过DUV多重曝光，达到类似EUV单次曝光的效果，但额外曝光可能增加位置误差，累积后影响良率，同时也会拉长生产周期并推升制造成本。

根据SemiAnalysis建模以及晨星分析师Wei Jingjie的独立成本分析，长鑫科技每位元的结构性成本劣势，相较三星、SK海力士与美光平均水准超过30%。

即使存在成本劣势，在常规DRAM供应吃紧、价格大幅上涨的环境下，长鑫科技今年上半年主营业务毛利率仍高达84.84%。

15%市占率成关键 长鑫科技能否跨过生存门槛？

对长鑫科技而言，10%并非最关键的市占率数字，15%才是另一个重要门槛。

Counterpoint Research研究总监Hwang Min-sung指出，长鑫科技必须跨过15%的市场占有率门槛，才能取得持续投资下一代晶圆厂所需的资金。

这项判断具有历史依据。台湾DRAM业者南亚科(2408-TW) 、华亚科与茂德，在2008年全球市场占有率跌破15%后，逐渐失去竞争生存能力。

Hwang Min-sung表示，当DRAM业者市占率低于15%，将难以为下一代晶圆厂取得融资，市占率可能进一步萎缩至约3%，最终转为利基型业者。因此，15%被视为长鑫科技必须跨越的重要界线。

然而，若只依赖常规DRAM市场，长鑫科技要达到15%市占率可能面临挑战。原因在于，当三星、SK海力士与美光预计在2028年前后完成HBM产能扩充、供需恢复平衡后，部分产能可能重新转向常规DRAM市场，届时常规DRAM价格可能下滑，长鑫科技目前的成本劣势也将成为影响利润率的重要因素。

长鑫科技拚2028年市占18% 伺服器DRAM成布局重点

从营收结构来看，长鑫科技目前约98%的营收仍来自常规DRAM产品，包括DDR4、DDR5、LPDDR5X，以及最新量产的LPDDR6。HBM目前尚未实现量产销售，使长鑫科技未来的产品结构与利润率面临一定脆弱性。

为降低对消费型DRAM的依赖，长鑫科技正积极扩大伺服器DRAM出货，其伺服器市场营收占比已从2024年的8.4%提升至2025年的26.5%，持续向更高价值链推进。

最新消息显示，长鑫科技已与字节跳动、腾讯控股(00700-HK) 及百度(09888-HK) 等中国企业签署长期协议，这些中国云端基础设施业者已成为长鑫科技较稳定且价值较高的客户。

其中，字节跳动于2026年7月与长鑫科技签署一份价值超过70亿美元、为期5年的伺服器DRAM供应协议。阿里巴巴(09988-HK) 则持有长鑫科技约5%股权，同时也是其主要客户之一。

野村分析师Donnie Teng预估，长鑫科技全球DRAM市占率将在2028年底达到18%，跨过15%的关键门槛。投资人Dan Niles则提出更积极的看法，认为中国到2030年可能占全球DRAM市场30%。

相较之下，Counterpoint Research的基准预测较为保守。该机构在长鑫科技IPO时预估，其2028年DRAM位元市占率约为11%，并预计到2035年才达到15%的营收市占率门槛，反映长鑫科技未来可能受到常规DRAM市场环境转弱及成本劣势影响，增速将逐步放缓。

长鑫科技今年7月已完成科创板IPO，取得近560亿元人民币融资，资金主要用于扩充产能及下一代技术研发，为后续提升市场竞争力与市占率提供资金支持。