随着人工智慧（AI）算力需求从 GPU 全面扩散至 CPU，记忆体晶片的市场定位正发生根本性转变，传统的周期性估值框架已不再适用。摩根大通 (JPM-US) 最新研究报告即大幅上调全球记忆体市场规模预测，并维持对该板块的多年期看多立场。

该行认为，记忆体晶片正从传统的周期性大宗商品转型为 AI 基础设施的战略核心资产。

摩根大通报告指出，将 2026 至 2028 年全球储存市场总规模预测较 3 月模型调高 37% 至 53%，并认为 2028 年全球记忆体市场总规模有望达到 1.7 兆美元。

从产品别来看，DRAM 市场收入预估将从 2025 年的 1,430 亿美元增加至 2028 年的 1.237 兆美元；NAND 市场规模则可望由 710 亿美元扩大至 4,545 亿美元。

分析指出，本季财报季最大的超预期亮点，正是 CPU 需求的强劲表现。CPU 在 AGI 系统中承担任务编排、状态管理及 API 执行等关键控制层功能，需求爆发为原本以 GPU 为主导的 AI 记忆体需求叙事，注入重要新变数。

从各大晶片厂商的最新展望来看：

• 辉达 (NVDA-US) 预估 2026 年独立 Vera CPU 销售额将达 200 亿美元；
• 超微半导体 (AMD-US) 将伺服器 CPU 市场规模增速预测从 18% 大幅上调至每年逾 35%，预计 2030 年市场规模可达 1,200 亿美元；
• 英特尔 (INTC-US) 则预计 CPU 与 GPU 的配比将从约 1:8 收窄至 1:4，并暗示随着智慧型代理 AI 运算需求持续扩张，两者最终将趋于平衡。

从记忆体产业角度观察，GPU 与 CPU 的配比已从 2023 年的 5.4:1 降至 2025 年的 3.2:1，摩根大通预计 2028 年将进一步收窄至 2.4:1，此趋势将显著拉升 AI 伺服器的记忆体需求。

该行同步将 2026 至 2028 年伺服器记忆体需求预测上调 5% 至 22%，并强调 2027 至 2028 年上调幅度中，逾六成来自 AI 伺服器的增量贡献。

据此推算，AI 伺服器记忆体需求（不含 HBM）在 2027 至 2028 年将占 DRAM 总需求的 30% 以上，远高于先前预测的 14%。

HBM 供需持续偏紧，2027 年均价上看历史新高

高频宽记忆体（HBM）市场供需格局同步收紧。

摩根大通将 2026 至 2028 年 HBM 市场规模预测上调 17% 至 21%，预计供需缺口将延续至整个 2028 年，缺口比例维持在两位数百分比水准。

需求端，辉达 Blackwell GPU 出货量预测上调至 2026 年 890 万颗、2027 年 990 万颗；Google(GOOGL-US) TPU 出货量亦上调至 2026 年 450 万、2027 年 800 万个颗；亚马逊 (AMZN-US) Trainium 出货量同步调升。

摩根大通并预计，ASIC 出货量将于 2027 年超越商用 GPU。

定价方面，由 HBM3E 及 HBM4 各别上涨 19% 和 15% 带动，摩根大通预计 2027 年混合 HBM 均价将年增 32%，创历史新高，而 HBM4E 因供应链极度吃紧，定价较 HBM3E 溢价高达 61%。

同时，记忆体厂商正加速将产能转向 HBM。摩根大通预估，HBM 占 DRAM 晶圆产能的比重将从 2026 年的 24% 提高至 2028 年的 31%，使一般 DRAM 供给面临更大压力，进一步收紧市场供需格局。

三星方面，摩根大通将其在辉达客户中的 HBM4 市占率上调，认为三星在 HBM4 认证进度上领先对手，目前已开始出货 12 层 48GB HBM4E 样品供认证测试。

记忆体跃升 CSP 战略资产，占资本支出比重冲上 50%

记忆体在 AI 运算体系中的战略地位正发生质变。摩根大通报告援引美光科技 (MU-US) 执行长的表态指出，记忆体正成为一种战略性资产，稳定采购对于 AI 服务的高速、高品质经营至关重要。

数据显示，记忆体在云端服务商硬体资本支出中的占比，从 AI 浪潮初期的十几个百分点大幅攀升，预计今年将突破 50%，并于 2030 年达到 73%。

与此同时，记忆体产业营业利益率预计在 2026 至 2028 年稳定在 75% 至 77% 的历史高位，远优于 2025 年的 30%。

虽然摩根大通坦承，基于市场对记忆体价值市占率能否持续提升存有疑虑，记忆体股目前仍以折价于盈利的估值水准交易，但该行认为 AI 已带来全新的需求结构，传统周期性估值框架已不再适用，新的估值方法势在必行。

企业级固态硬碟引领 NAND 扩张，中国厂商产能加速但价值有限

NAND 市场方面，企业级固态硬碟正成为扩张主引擎。

摩根大通预计 2026 年企业级固态硬碟市场规模将超过 500EB，占 NAND 总需求的 43%，并以 52% 的年复合成长率扩张至 2028 年逾 1,100EB。

考虑到平均销售价格溢价，企业级固态硬碟价值市场总规模在未来两年有望超过 3,000 亿美元，规模将凌驾 HBM 市场之上。

资本支出方面，摩根大通预计未来三年全球记忆体资本支出合计约 4,500 亿美元，较 2025 年 12 月模型的 3,000 亿美元大幅上修，其中 DRAM 约 3,640 亿美元、NAND 约 860 亿美元，EUV 设备采购及基础建设为当前主要瓶颈。

中国厂商部分，DRAM 市占率预计从 2025 年的 6% 提升至 2028 年的 8% 至 11%，NAND 则从 12% 升至 12% 至 16%，产能扩张速度高于业界平均。

然而，受制于产品结构偏低阶，价值市占率成长空间有限，预计中国厂商 2028 年 DRAM 及 NAND 价值市占率分别约为 10% 与 12%。

摩根大通同时预计，供需缺口将在 2027 年进一步扩大，理论上为 DRAM 及 NAND 价格提供额外上行空间，但长期协议合约销售占比的提升，将使价格走势趋于稳定。