市场普遍预判，三星、SK海力士、美光及长鑫存储集体扩产将导致2027年记忆体过剩、价格崩盘，但美光最新第四财季业绩的炸裂数据直接推翻这一惯性认知，本轮记忆体上行周期比想象中更猛、更持久，2027年大概率维持供不应求。

美光在第四财季营收542亿美元，季增31%，净利润高达384亿美元，毛利率飙至87%，本财季指引营收615亿美元，毛利率维持86%超高水平。成长核心逻辑全靠涨价：DRAM均价季增10几个百分点，NAND均价暴涨约30%。即便全球大厂加码扩产，价格依旧强势，行业真实供需早已跳出传统框架。

过去判断周期仅看晶圆总量，但AI催生的HBM彻底改写规则。HBM制程复杂、良率严苛，极度消耗先进DRAM晶圆却无法产出等量容量。2025年HBM吃掉全球18%的DRAM晶圆，仅贡献8%有效容量，2027年晶圆占比将突破30%，容量贡献仅13%，相当于每3片新增先进晶圆就有1片被HBM「空耗」，这正是大厂扩产不停、普通DDR5与伺服器内存仍紧缺的主因。

当前DRAM供给缺口约1.5%。测算显示，2027年全球有效DRAM供给增速约24%，只要需求增速守住22%以上就不会过剩，若维持25%，市场依旧紧缺。目前，行情核心看点已从产能投放转向需求支撑。

需求端由中美双引擎驱动。除美国AI资料中心外，中国算力网建设成新领域。2025年中国伺服器DRAM需求3.25EB，2027年将飙至6.63EB，新增近3.4EB。长鑫2027年月度新增7万片晶圆对应产能仅1.7-2.5EB，刚好匹配内需，不会溢出全球，加上终端国产替代与国产HBM需求，扩产完全被内部消化。

周期拐点警示：2027年无忧，风险在2028年。届时三大厂与长鑫新产能全面爬坡，若恰逢中美AI支出同步降速，供给过剩压力才会显现。本轮超级周期由双需求引擎支撑，只要任一引擎持续发力，行情便不会轻易落幕。