多家外媒报导，中国半导体产业周一 (27 日) 接连释出两项重大消息，一是记忆体晶片制造商长鑫存储 (CXMT) 在上海挂牌首日股价飙升 466%，二是中国传出已开始生产自主研发的浸润式深紫外光 (DUV) 曝光机。两大消息均指向中国晶片供应链加速本土化，引发市场重新评估全球记忆体与半导体设备产业的竞争格局。

相关疑虑迅速蔓延至美股。美光 (MU-US) 周一盘中一度重挫 7%，终场跌幅收敛至 2.25%；记忆卡制造商 SanDisk (SNDK-US) 暴跌 11.02%，成为标普 500 指数当日表现最差的成分股；SK 海力士 ADR (SKHY-US) 也大跌 7.47%。

中国国产 DUV 传出进展 晶片设备股率先受创

市场关注中国在曝光机领域取得的进展。《The Information》及外媒周一报导，一家位于上海、获中国政府支持的企业，已开始生产自主研发的浸润式 DUV 曝光机，相关团队纳入宇量升科技等新创公司的人员。

按照规画，该公司今年将生产 5 台 DUV 设备，明年把产量提高至 20 台，潜在客户包括中芯国际 (00981-HK)、长鑫存储及华虹半导体 (01347-HK)。

这项消息加深投资人对中国晶片设备国产化的疑虑。市场担心，一旦中国跨越曝光机的技术门槛，未来也可能加快取代沉积、蚀刻及检测等美国制造设备，促使相关类股遭到抛售。

艾司摩尔 ADR (ASML-US) 盘中一度下跌约 7%，终场收低 5.8%；接近收盘时，应用材料 (AMAT-US) 跌约 4%，科林研发 (LRCX-US) 下挫约 4.5%，科磊 (KLAC-US) 也跌约 3%。

中国国产 DUV 传出进展之际，美国国会正在推动《硬体技术管制多边协调法案》(MATCH 法案)。该法案旨在限制中国购买及维修浸润式 DUV 设备，但若中国具备自行生产相关设备的能力，美国扩大出口管制所能发挥的效果可能因此减弱。

长鑫存储跃居中国市值最高上市企业

除了曝光机技术进展，长鑫存储的挂牌表现也放大市场对中国记忆体产业崛起的关注。根据 LSEG 资料，长鑫存储上市首日市值达约 4,840 亿美元，超越其他中国上市企业。

长鑫存储目前是全球第 4 大动态随机存取记忆体 (DRAM) 制造商，规模仅次于 SK 海力士、三星电子及美光。不过，由于公司仍无法取得艾司摩尔的极紫外光 (EUV) 曝光技术，在生产先进高频宽记忆体 (HBM) 方面仍受到限制。

中国自制 DUV 曝光机传出进展后，投资人开始重新衡量长鑫存储及其他中国晶片业者的长期竞争力。

Radio Free Mobile 创办人 Richard Windsor 表示，HBM 的利润较高，促使主要记忆体厂商把部分产能从消费性电子产品使用的传统 DRAM，转移至 AI 资料中心晶片。这项产能调整造成一般 DRAM 市场出现供应缺口，也为长鑫存储提供填补需求的机会。

Windsor 预期，当 DRAM 供应恢复正常后，长鑫存储股价可能出现「大幅修正」；不过，在供需重新取得平衡以前，公司仍可望维持良好的发展环境。

华尔街认为卖压过度 量产能力仍待验证

尽管半导体类股大幅下挫，多家华尔街机构认为，市场把中国取得的初步进展，直接等同于艾司摩尔即将失去市场主导地位，对消息的反应与实际风险并不相称。

美银证券分析师 Didier Scemama 将艾司摩尔这波跌势形容为「具吸引力的进场机会」，重申「买进」评等及 2,452 欧元目标价，并认为中国本土设备目前对艾司摩尔构成的威胁仍然有限。

Scemama 指出，中国主要曝光机制造商上海微电子装备 (SMEE) 尚未证明，其设备能够支援 28 奈米以下制程的大规模生产。相较之下，艾司摩尔 NXT:1980Fi 机台每小时可处理 330 片晶圆；中国设备只要在精度、速度或稳定性方面落后，就可能拖累良率，并垫高单颗晶片的制造成本。

根据他的估算，即使中国明年成功取得 20 台国产 DUV 设备，对艾司摩尔销售额造成的影响约为 14 亿欧元，仅占公司预估整体营收的 2.4%。

摩根大通分析师 Sandeep Deshpande 也表示，少量制造浸润式 DUV 设备，与在晶圆厂支援大规模量产，代表两种截然不同的能力。中国设备能否形成实质竞争，仍须检视良率、套刻精度与产能效率，以及经历数千批晶圆生产后的可靠度。

Deshpande 认为，中国发展自制设备，确实会增加艾司摩尔中国业务面临的长期风险，但预期不会影响公司的中期获利表现。

法国巴黎银行分析师 Jakob Bluestone 则将这项发展视为艾司摩尔的「小幅利空」。他指出，到 2030 年前，预计仅中国扩充的 DRAM 产能，每月晶圆投片量就将增加逾 50 万片，需要数百台 ArFi 浸润式微影设备支援。

Bluestone 表示，艾司摩尔现有产能无法在满足全球其他市场需求的同时，包办中国扩产所需的所有设备。因此，中国自行生产部分曝光设备，可能是因应当地晶片产能成长的必要作法，不能直接解读为中国设备将全面取代艾司摩尔。

AI 合作支撑记忆体需求 回档被视为进场机会

虽然记忆体类股周一普遍走低，AI 企业持续扩大合作，仍反映先进记忆体需求保持强劲。

辉达 (NVDA-US) 上周五与南韩 SK 集团签署合作意向书，计划投入超过 5,000 亿美元，除了与 SK 电讯共同兴建 AI 工厂，也将和 SK 海力士合作开发新一代 HBM。

博通 (AVGO-US) 也与三星电子签署合作备忘录，双方将扩大先进记忆体、晶圆代工，以及 AI 与网路晶片先进封装等领域的合作，预计截至 2030 年的合作规模将超过 2,000 亿美元。

伯恩斯坦分析师 Mark Li 指出，这些合作大多围绕记忆体展开，显示辉达与博通正在积极确保未来供应。市场预估，记忆体产业在 2027 年及 2028 年的年营收可达 1.3 兆美元，对 AI 发展的重要性已超越逻辑晶片。

Li 因此将近期记忆体股回档视为「良好进场点」，并认为辉达与博通公布的新合作，有助于缓解市场对未来供应不足的担忧。周一辉达股价重挫 4.99%，博通则逆势上涨 0.34%。