2026年11月02日（优分析／产业数据中心报导）⸺ 随着AI资料中心高速光通讯需求增加，联电(2303-TW)传出取得矽光子晶片设计业者赛丽光子（SILITH Technology）的光子积体电路（PIC）订单，初期规模合计上看1万片晶圆，将由新加坡12吋晶圆厂生产。根据市场预估，联电新加坡12i厂正持续扩充产能，单季产能将由2026年第一季约17万片，增加至第四季约20万片，2027年底进一步提升至24.5万片，增幅约44%。

联电与赛丽光子早已展开合作，双方今年7月14日宣布，新加坡12吋晶圆厂已完成首批矽光子晶圆量产交付，支援赛丽光子的1.6T高速光通讯平台。双方利用联电的绝缘层上覆矽（SOI）制程技术，仅花18个月便完成从产品开发到量产的过程，产品良率与可靠度已达量产标准，并取得一家大型云端基础设施客户认证，可供大规模部署。

根据联电7月公告，赛丽SILITH光子平台累计已出货超过800万颗100G及200G单通道PIC晶片。双方目前已完成每通道200G矽光子产品的商业化，并持续开发下一代400G技术，采用高速矽基马赫－曾德尔调变器（MZM），在提高光讯号传输速度的同时，维持与CMOS制程相容的量产优势。联电也规划于2027年开放自有12吋矽光子平台，供更多客户进行产品开发。

除了既有矽光子技术，联电也正与合作伙伴开发薄膜铌酸锂（TFLN）光通讯技术。随着AI资料中心光通讯速度由800G朝1.6T、3.2T升级，除了增加传输通道数量，每个通道也需要传送更多资料，对负责控制光讯号的调变器提出更高的速度与功耗要求。相较传统矽基调变器，TFLN具有更高频宽、较低驱动电压及较佳讯号品质等优势，但制造与封装难度也较高。联电目前已完成每通道200G矽光子产品商业化，正与赛丽光子开发400G技术，同时布局TFLN制程，未来可依客户需求搭配先进封装，应用于共同封装光学（CPO）及光学输入输出（Optical I/O）等产品。

为因应新业务需求，联电今年已将2026年资本支出由15亿美元上调至20亿美元（约新台币648亿元）。10月28日董事会再核准约32亿美元（约新台币1,038亿元）资本预算，加计先前核准项目，累计规模接近50亿美元。公司表示，矽光子与先进封装客户需求持续增加，正将部分既有产能转作相关产品生产，并加快新加坡与台南两地扩产进度。

联电在10月底法说会上进一步揭露，依照董事会核准的扩产规划，未来将新增约1.8万片矽光子、2.2万片矽电容及2万片TFLN调变器产能，预计2028年底至2029年陆续开始设备装机，2030年达到规划规模。其中，矽光子产能主要集中在新加坡，矽电容则布局台南，TFLN技术将利用8吋晶圆产线生产。

赛丽光子成立于2021年，总部位于新加坡，专注矽光子积体电路设计，产品包括高速矽光子调变器、5DIPS光引擎，以及车用LCOS扩增实境擡头显示器（AR-HUD），应用涵盖高速资料通讯、车用电子及生物感测。根据股权投资资料，腾讯控股(0700-HK)于2025年8月参与赛丽光子的创投融资，取得少数股权，其他投资人包括广东长石创投、四川长石创投、新加坡iGlobe Partners，以及2026年4月加入的Luminous Ventures。市场另传出中际旭创也参与投资，但目前取得的股权资料尚未列出相关持股资讯。

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