近期用于AI加速器的高频宽记忆体（HBM）等DRAM产品价格持续飙升。业界近日指出，三星电子与SK海力士两大厂商合计占全球记忆体晶片市场约70%，目前已难以跟上激增的DRAM需求。

据南韩国际贸易协会（KITA）周一公布数据，南韩AI晶片用DRAM出口量由5月约6.817亿个降至7月的5.9174亿个，减少13.2%；同期出口总额却从114.3亿美元增至135.5亿美元，成长18.5%。

平均单价由16.76美元涨至22.90美元，涨幅达36.6%。

媒体报导指出，量减价涨的背离，源于HBM4向辉达等大客户的供货放量：HBM4仍处于量产初期，良率低于上一代HBM3E，生产过程中消耗的DRAM更多，进一步加剧DRAM整体供给短缺。

南韩半导体产业协会（KSIA）常务董事Ahn Ki-hyun表示：「HBM往往每推出一代新品，良率就会下降。HBM4售价约为上一代的两倍，因此随着记忆体厂商提高产量，DRAM消耗量上升，出口总量反而萎缩。」

媒体报导称，供应紧张的另一项推手，是两家厂商将长期协议（LTA）作为销售结构核心，使现货市场进一步吃紧。

据业界消息，三星记忆体事业部已将2031年前约70%的产能分配给LTA订单，主要交易对象包括辉达、微软和Google等全球科技巨头；而即便是这些客户也无法取得全部合约量。

HBM争夺战加剧，推动现货价格大幅脱离长期合约价格。

媒体援引记忆体市场研究机构MegaGrid Supply最新数据指出，36GB的HBM3E产品现货售价为2,100美元，约合287万韩元，是其长期合约价格（约50万至70万韩元）的4至5倍。

而正在准备量产的16层HBM4产品，若透过现货市场采购，价格达3,500美元，约合480万韩元；目前尚不清楚其对应的长期合约价格。

HBM价格上涨将直接反映在业绩上。据媒体援引金融投资业分析师测算，两家公司第三季营收与获利都将再创历史新高。

根据该测算，三星电子第三季市场一致预期营收为206.64兆韩元、营业利益为116.38兆韩元，远高于第二季的171.50兆韩元和89.49兆韩元。

业界指出，若营业利益突破100兆韩元，不仅在南韩企业中属于首次，在全球科技巨头中也是首次。

SK海力士第三季营收预计为101.76兆韩元，季增28.2%；营业利益79.16兆韩元，季增30.7%。

市场普遍判断，短缺不会很快化解，三星电子与SK海力士正多管齐下推进产能扩张。

据报导，三星电子元件解决方案部门高层正在评估一项方案：最早于明年将平泽园区唯一一条承接外部客户订单的代工产线S5，改造为记忆体生产设施。

据业界消息，SK海力士正在考虑与当地伙伴在日本设立合资工厂的可能性；业界尤其关注其可能扩大与铠侠的合作。铠侠是日本最大的NAND快闪记忆体厂商，而SK海力士实际上是其最大股东。

不过，扩产难以立竿见影。Ahn Ki-hyun表示，「解决晶片短缺需要建设更多生产工厂。即便计划中的新厂投产，短缺也只会得到缓解，而不会被消除。」