SK海力士(000660KS) (SKHY-US) 正与上游合作伙伴推进新一代 iHBM 技术研发及量产准备，透过在热量集中区域嵌入热控元件，可将 HBM 热阻降低 30% 以上，并计划导入 HBM5 等新一代产品。

韩媒《ETNews》引述业界消息报导，SK 海力士近期已与国内外材料、零组件及设备供应商接洽，讨论 iHBM 的实际产品应用与量产计划。

一名熟悉情况的 SK 海力士合作伙伴公司负责人表示，SK 海力士正探索与上游业者合作，将 iHBM 导入实际制程并实现商业化。他指出，该公司似乎已在评估量产可行性的同时，着手推动商业化进程。

iHBM 是 SK 海力士为改善 HBM 发热问题而开发的新技术，也是该公司在竞争激烈的 HBM 市场维持领先地位的策略之一。

随着 AI 算力需求持续增加，HBM 透过增加堆叠层数、提升运作速度来提高效能，也面临发热量攀升的难题。如何有效控制 HBM 与 GPU 实体互连通道所产生的热量，正成为下一代 HBM 技术竞争的关键。

SK 海力士于今年 5 月 26 日发表 iHBM，特色是从结构设计着手改善散热。传统 HBM 主要依赖热量经由核心晶片（Core Die）向外传导，采取间接散热方式；iHBM 则直接在热量最集中的晶粒对晶粒实体层（D2D PHY）区域，嵌入热控元件（ICE）。

这类元件采用具绝缘性及高导热性的矽基材料，可建立专用散热通道。相较传统方案，该技术可将 HBM 热阻降低 30% 以上，并确保产品在高温、高负载环境下稳定运作。

根据 SK 海力士介绍，iHBM 在量产可行性方面也具备优势。产品采用已经市场验证的先进 MR-MUF 晶圆级封装（WLP）制程，有助于实现稳定的大规模量产。

此外，该技术与客户现有的系统级封装（SiP）环境具有高度设计相容性，客户无须大幅修改设计即可导入，降低实际应用门槛。

SK 海力士计划将 iHBM 技术应用于 HBM5 等新一代产品，以满足高效能运算（HPC）、AI 资料中心等高度整合、高频宽应用的散热需求。

依照该公司技术蓝图，HBM5 预计于 2029 年发表。目前，SK 海力士正使用台积电先进封装技术 CoWoS，对 HBM5 进行验证。