韩国《每日经济新闻》引述业界消息，三星电子(005930KS) 计划在美国德州泰勒市兴建第二座晶圆代工厂，为AMD(AMD-US) 、辉达(NVDA-US) 生产高频宽记忆体（HBM）所需的基底逻辑晶片。

新厂预计采用 2 奈米制程，规划产能已获客户预订，订单大部分来自 AMD。三星官方尚未证实此消息。

报导指出，泰勒二厂预计于 11 月正式动工，占地约 270 万平方英尺，约为泰勒首座晶圆厂的 1.5 倍。

依目前规划，预计 2029 年 2 月开始移入并安装设备，2030 年正式量产。除了 AMD，辉达也已安排相关产能。

HBM 由记忆体晶片与基底逻辑晶片（base die）组成，后者正是泰勒二厂此次规划代工的核心产品。基底晶片负责讯号传递与互连控制，是 HBM 堆叠封装不可或缺的一环，但与三星传统 DRAM 记忆体晶圆分属不同业务。

因此，泰勒二厂将归属晶圆代工业务，而非记忆体生产线，主要聚焦逻辑制程，承接 HBM 配套基底晶片的制造需求。

三星泰勒一厂先前已与特斯拉敲定代工合约，主攻先进逻辑晶片；二厂则将瞄准 AI 运算供应链，以 HBM 基底晶片为重点，争取主要 AI 晶片业者订单。

随着 AI 运算需求持续扩张，HBM 供应仍然吃紧，除了记忆体晶圆，配套的基底晶片与封装产能也成为供应链竞相争取的资源。

AMD 与辉达身为 HBM 主要采购商，提前预订上游代工产能，也反映业者透过长期合约确保供应的趋势。