摩根士丹利最新发布的记忆体产业研究报告指出，记忆体产业今年以来经历的大幅修正已接近尾声，市场焦点将逐步由价格循环转向资本回馈，包括股票回购、自由现金流及长期供货协议 (LTA) 等因素，有望成为下一波推升股价的重要催化剂。被喻为「空头」代言人的分析师 Shawn Kim 认为，目前估值已提供具吸引力的战术性进场时机，近期修正仅是 AI 超级循环中的一段正常波动。

报告指出，摩根士丹利早在 7 月初便提醒，记忆体股因 DRAM 价格涨势即将放缓，以及市场持仓过度集中，可能出现短期回调。此后虽然市场对 AI 资本支出及 AI 需求仍维持乐观，但也开始注意到 4Q26 起 DRAM 价格增幅趋缓、库存逐步回升及新增供给增加等现象，使市场对后续获利惊喜有所保留。不过，分析师认为，经过近期修正后，记忆体股估值已明显改善，未来资本回报政策可望加速。

摩根士丹利表示，AI 带动的需求与传统记忆体景气循环并不冲突。虽然 DRAM 价格同比增速可能已见高点，但此次 AI 建置周期规模远超历史，价格年增幅一度高达 700%，约为历史高峰的 7 倍。DRAM 已成为 AI 基础建设的重要瓶颈之一，但目前市场对相关个股仅给予约 3 倍未来 12 个月本益比 (NTM P/E)，几乎没有反映长期成长溢价。报告认为，若投资人开始相信 AI 将延长产业获利周期，估值倍数仍有扩张空间。

针对个别企业，摩根士丹利维持三星电子 (Samsung Electronics) 及 SK 海力士 (SK hynix) 目标价不变，但调整获利预估。其中，SK 海力士 2026 年每股盈余 (EPS) 预估上调 13%，反映第二季资产处分收益；三星电子则因消费性电子业务疲弱，2026 年 EPS 预估下修 10%，2027 年至 2028 年预测则仅小幅调整。

报告认为，记忆体产业将自 2026 年第四季进入周期后段，未来企业将更重视资本回馈、长期供货协议 (LTA)、稳定获利能力及自由现金流表现，而非依赖价格快速上涨带来的营运杠杆。近期获利预估修正幅度已明显降温，显示最悲观时期可能已经过去。

产业调查显示，3Q26 DRAM 合约价格于初期交易约季增 15%，略低于摩根士丹利原先预估的 20%；3Q26 NAND 价格则约季增 20%。随着 4Q26 价格涨幅趋缓，客户提前备货意愿有所下降，但更多产能预料将由消费性产品转向企业级 SSD(eSSD)，配合 AI 伺服器需求持续成长，可望消化新增供给。

报告进一步指出，目前市场已充分反映未来 12 个月 EPS 成长放缓风险，但 AI 带动的需求更可能属于结构性改变，而非单纯周期循环。因此，以过去周期股的估值方式评价记忆体产业，未必仍然适用；未来若企业积极提高股东回报，将有助市场重新评价整体产业。

摩根士丹利最后维持长线乐观看法，认为 AI 资本支出、Agentic AI 快速发展，以及三星电子与 SK 海力士 2027 年获利可望成长 25% 至 50%，均将支撑产业基本面。报告估计，两家公司目标价相较目前股价仍隐含超过 60% 的上行空间。短期而言，7 月大幅平仓后，市场追价资金已重新回流，预料仍将偏好 AI 资本支出受惠最大的 DRAM 及利基型记忆体，包括 DDR4 与 SLC NAND，而非记忆体模组厂商。