人工智慧（AI）基础建设持续扩张，除了带动辉达(NVDA-US) 等AI晶片需求，也让记忆体市场迎来罕见的供需紧张。美银全球研究（BofA Global Research）最新报告指出，在辉达释出2027年营收成长约70%的展望之际，记忆体产业的成长幅度甚至可能更高，若价格涨势延续，全球DRAM销售额增幅有机会超过80%。

美银近日发布最新一期《Global Memory Tech》周报。该行近期调查超过10家南韩及记忆体产业链企业，包括三星电子(005930KS) 、SK海力士(000660KS) 、南亚科(2408-TW) 、慧荣科技(SIMO-US) 、南韩印刷电路板（PCB）制造商ISU Petasys及大德电子等，认为AI需求仍可能支撑记忆体市场持续维持强劲景气。

美银目前预估，2027年全球DRAM销售额将成长48%，主要由平均售价（ASP）上涨24%及出货量增加19%带动。不过，美银认为这仍属偏保守的基本情境。

该行认为，若2027年DRAM平均售价每季维持约10%的季增幅度，全年销售额增幅可能突破80%；其中ASP年增约46%，再搭配出货量成长19%，将成为推升DRAM市场规模的主要动力。

美银认为，这波记忆体行情背后有三项主要驱动因素。

首先，辉达2027年约70%的营收成长展望，本身就是建立在AI晶片供应吃紧的环境下，且尚未完全反映后续订单增加，以及Rubin、Vera等新平台进一步放量可能带来的额外需求。

其次，Google(GOOGL-US) 、亚马逊(AMZN-US) 、Meta(META-US) 等科技巨头积极发展ASIC、TPU等自研晶片，对HBM、DRAM及NAND的需求同样强劲，形成与辉达争抢记忆体供应的局面。美银认为，当大型买家增加，且愿意支付更高价格时，记忆体供应商的议价能力也将进一步提高。

第三，长期供应协议（LTA）未必能限制价格上涨。即使辉达及大型云端业者消化三大记忆体原厂的新增产能，苹果(AAPL-US) 、中国OEM厂商及台湾模组业者若仍需要在公开市场抢货，最终可能愿意接受高于长约价格的报价。

DDR4价格一年暴涨879%　NAND晶圆更飙近10倍

目前记忆体现货市场的价格变化，更直接反映供需失衡程度。

根据美银引用的DRAMeXchange数据，截至8月27日，16Gb DDR5现货价格约54美元，年增800%；16Gb DDR4则达91美元，年增879%；8Gb DDR4约44美元，年增803%；256Gb NAND晶圆价格约16.8美元，年增979%。

其中，DDR4价格甚至高于DDR5。16Gb DDR4现货价91美元，比16Gb DDR5的54美元高出近70%。美银指出，合约市场上两者价格目前约落在35至40美元，DDR5原本相对DDR4的价格溢价已经消失。

原因在于记忆体原厂持续将产能转往HBM及伺服器DRAM，传统DDR4受到产能缩减影响，反而成为市场上的稀缺产品。

伺服器记忆体价格同样大幅上涨。64GB DDR5伺服器模组合约价格已达1480美元，DDR4版本也达1300美元。

NAND市场则呈现另一波强劲涨势。512Gb NAND晶圆合约价格约26美元，相较2025年2月约2.5美元的低点，已上涨至约10倍。8月现货价格在第二季盘整后重新走高。

美银预估，9月记忆体现货价格仍有10%至20%的上涨空间。根据渠道调查，9月DDR5现货供需覆盖率低于50%，模组厂及白牌OEM业者普遍反映，由于记忆体原厂优先满足大型客户需求，公开市场取得足量货源并不容易。

三大记忆体原厂没有积极扩充传统DRAM

美银对南韩记忆体产业的调查也显示，供给端目前并未出现大幅扩产的迹象。

三星电子预计将有60%至70%的晶圆产能纳入LTA长约，但合约价格仍可按季协商，也就是锁定供应量而非价格。

三星近期积极投入的资本支出，主要集中在P4新厂的厂房及基础设施建设，实际设备投资相对有限。新增产能也主要服务HBM，传统DRAM及NAND并没有明显增加产能。美银估计，即使到了明年，三星供应对需求的覆盖率仍仅约50%至60%。

SK海力士方面则表示，所谓「降规」主要出现在PC、智慧手机及低阶GPU、ASIC产品，高阶新一代GPU的记忆体用量并未减少，反而持续增加。

即使龙仁新厂持续建设，洁净室空间仍然吃紧，DRAM与NAND晶圆产能扩张依旧有限。SK海力士同时重申将维持超过50%的股东回报率，并执行8月至11月的40兆韩元库藏股回购计划。

这也凸显本轮记忆体周期与过往的一项重大差异：即使记忆体价格及原厂获利创下高点，业者仍优先把资源投入HBM、厂房建设及股东回报，而非大幅扩充传统记忆体产能。

AI伺服器需求延烧至PCB　供应链全面吃紧

AI基础建设带来的需求也正向记忆体之外的供应链扩散，其中PCB及先进基板产业同样受惠。

ISU Petasys近期取得大量GPU及ASIC相关订单。Google TPU v8的高多层板预计在2026年第4季量产，并首次采用MultiLam制程，进一步推升产品平均售价。

此外，ISU Petasys也是微软(MSFT-US) 下一代ASIC「Maia 300」的核心多层板供应商，并进入亚马逊Trainium交换器供应链。

产能方面，ISU Petasys第五厂预计于2028年上半年投产，第六厂进入爬坡阶段，第七厂则仍在评估，泰国厂也预计于今年第4季至明年初投产。

大德电子同样在取得大型科技公司长约的同时扩大产能；LG Innotek则因应美国云端业者需求增加，洽谈具多年期及数量承诺的FC-BGA基板长约。

另一方面，三星物产的调查结果则显示，随着资料中心面临电力供应瓶颈，SMR小型核电机组的商业化关键，可能不只是技术问题，也涉及融资与监管。

随着AI伺服器同时推升HBM、先进基板及高多层PCB需求，供应链的紧张程度已从单一记忆体产品，扩大至整个AI基础建设产业。

记忆体股估值偏低　市场仍担心景气反转

AI需求强劲的同时，记忆体类股近期却出现明显修正。

以年初至今计算，美光科技(MU-US) 、南亚科、SK海力士及三星电子等主要记忆体业者股价仍维持约2至3倍涨幅，SanDisk (SNDKV-US) 与铠侠涨幅更超过400%。

但从预估本益比来看，市场对2027年后的记忆体景气仍抱持高度戒心。SK海力士2027年预期本益比约4.1倍，三星电子约4.5倍，美光约6.5倍，铠侠则仅约3.3倍。

如此低的估值，也反映投资人担心记忆体产业具有高度周期性，一旦供给增加或AI资本支出放缓，需求可能迅速反转。

美银的乐观看法同样存在几项主要风险，包括LTA覆盖率进一步提高后可能压缩价格弹性、目前创纪录的资本支出最终转化为有效新增供给、「降规」从低阶产品扩散至高阶产品，以及AI资本支出能否持续。

不过，在供给端尚未大幅扩产的情况下，美银认为，记忆体产业仍可能维持强劲的供需格局。这也使得市场目前约4倍的本益比，不只是周期高峰的警讯，同时也代表投资人对2027年以后需求的高度分歧。