荷兰半导体设备龙头艾司摩尔 (ASML-US) 在人工智慧 (AI) 晶片需求推动下，既有极紫外光 (EUV) 微影设备产能已接近售罄至2027年，台积电、三星及SK海力士也陆续确定采用新一代High NA EUV设备，进一步巩固ASML延续至2030年代的市场主导地位。

《路透》报导，ASML上周在荷兰恩荷芬为新厂动土，扩充办公室、物流中心及制造设施，未来最多可容纳2万名员工。

ASML财务长Roger Dassen表示，AI热潮已明显改变客户态度，近期甚至有大型客户直接询问：「还能再给我更多吗？能不能更快交货？」

ASML目前每台售价约2亿美元的EUV设备，是制造先进AI晶片不可或缺的工具，相关产能已几乎售罄至2027年。与此同时，客户也加速承诺导入每台约4亿美元的High NA EUV设备。

执行长Christophe Fouquet表示，他不认为AI热潮已接近尾声。随着主要晶片制造商陆续提出High NA量产时程，加上ASML扩充产能，公司在先进微影设备领域的优势可望延续至2030年代。

台积电2030年导入High NA

台积电先前曾质疑High NA设备能否证明4亿美元售价合理，但目前已承诺自2030年起采用这项技术。

过去数年，晶片制造商持续评估，先进封装、3D堆叠及其他制造技术，是否能够降低对High NA的依赖。然而，台积电、三星及SK海力士相继确认导入时程，反映主要晶片业者仍认为，持续缩小电路特征尺寸是提升晶片效能的必要途径。

相较现有EUV设备，High NA可印制小约40%的电路特征，有机会减少制造步骤并提高生产效率，但价格约为标准EUV设备的两倍。

High NA自2023年开始出货，目前仍由ASML独家供应。摩根大通估计，ASML在2025年占全球微影设备市场约94%；若聚焦先进EUV设备，ASML更没有商业竞争对手。

日本Nikon与Canon以及正在崛起的中国业者，目前主要生产较旧的深紫外光 (DUV) 设备。晨星分析师Javier Correonero表示，外界认为这些业者即将在微影技术上追上ASML的说法，是「错误资讯」。

记忆体厂加快脚步 三星、SK海力士2028年采用

High NA不仅获得先进逻辑晶片业者采用，记忆体制造商也加速导入。

三星宣布，将于2028年利用High NA设备生产记忆体晶片，时程早于市场预期；SK海力士同样计划自2028年开始采用。美光已订购相关设备，但尚未公布量产导入日期。

Fouquet表示，由于记忆体晶片成品面积较小，记忆体厂采用High NA的门槛相对较低，相关业者在High NA及其他先进技术上的布局也更积极，目前都在推动将High NA导入大规模量产。

英特尔则是High NA的早期采用者。公司表示，相关设备已达到产能与可靠度标准，累计处理晶圆数量已超过100万片。

InsingerGilissen分析师Jos Versteeg表示，他从未怀疑High NA最终会被业界采用，因为晶片制造商并没有其他替代方案。随着逻辑晶片及记忆体大厂陆续导入，市场先前对High NA能否获得广泛采用、进而回收庞大研发成本的疑虑正逐步消退。