第二十三届中国国际半导体博览会(IC China 2026)于11月12日开幕，长鑫科技集中展示面向伺服器、智慧型手机与汽车三大场景的记忆体产品矩阵。

长鑫科技副总裁骆晓东在展会演讲中指出，受全球算力需求激增推动，算力超级周期正进入全新的「分层时代」，记忆体产业竞争已从单一性能指标的比拼，全面转向全场景产品布局能力的竞争。

骆晓东解析储存新赛局

骆晓东分析，算力分层首先体现在细分市场需求的分化上：伺服器市场需求占比已突破50%，增量优先流向AI大型语言模型与智算中心等高价值场景；汽车市场预计至2030年复合成长率约30%；手机、PC等消费电子市场随AI功能渗透加速，但仍具周期波动特征。

另一方面，不同AI应用对记忆体的要求亦呈现显著差异：大模型推理解码阶段受记忆体频宽限制，长文本处理凸显算力瓶颈，而超大参数多卡训练则对记忆体容量与互连能力提出极高要求。

布局三大场景

为对应分层需求，长鑫科技首展三大主线产品：

伺服器领域：骆晓东表示，具备低延迟与高性价比优势的RDIMM仍是伺服器记忆体核心。长鑫DDR5颗粒已迭代至32Gb，RDIMM模组涵盖32GB至128GB主流容量段及5600Mbps至8000Mbps速率；MRDIMM最高速率更达12800Mbps，抢攻大容量高频宽资料中心市场。

装置端AI领域：长鑫展示全球首发量产的LPDDR6，最高传输速率达12800Mbps，较上一代LPDDR5X频宽提升60%、功耗降低20%，并已率先搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机落地商用。

汽车领域：因应宽温与振动等复杂工况，长鑫最新车规级LPDDR5X通过AEC-Q100 Grade 2与ISO 26262 ASIL D双重认证，并提供315焊球及441焊球两种封装方案，满足智慧驾驶对高安全与高频宽的需求。

研发加码与技术转型

技术研发方面，长鑫科技2026年前三季度研发投入达110.71亿元人民币，年增73.03%。其展出的第五代技术平台(G5)采用四重曝光工艺，将有源区半间距微缩至11.95奈米，每片晶圆的裸晶产出量提升至少50%。

面对DRAM供不应求的产业窗口期，长鑫表示已与多家头部客户签署长期供货合约。随着DDR5与LPDDR6等高附加值产品放量，四季度及2027年营收预计将维持成长态势，持续强化全场景储存底座。