TechInsights 发布最新 2026 年第二季 DRAM 市场报告，这份共 129 页的报告核心主题是 AI 驱动的资料中心建设正在彻底重塑 DRAM 市场的定价、利润率和供需格局。

DRAM 产业正经历从「周期性大宗商品」向「AI 时代战略物资」的改革，三大厂商在三年内创造 1.7 万亿美元运营利润，HBM 从配角变为主角，消费端被挤出产能分配，物理 AI 是下一个未被定价的变量。供需紧张是结构性的，不是周期性的。

DRAM 市场正处于历史性重构中

AI 驱动的资料中心建设，正在从根本上重塑 DRAM 市场的定价、利润率和资源配置。三个核心力量同时碰撞，共同驱动了这一轮前所未有的周期：

需求端： Agentic AI（代理式 AI）带来伺服器 CPU 数量的结构性增长，进而拉动 DDR5／LPDDR5 需求。

供给端： 长期供货协议（LTA）正在改变客户采购方式，削弱了传统周期的价格发现机制，行业运营利润率预计稳定在 60%～65%，远高于上一轮周期平均的 34%。

财务端： 三星、SK 海力士、美光三巨头在 2026～2028 年间合计将产生约 1.7 万亿美元 DRAM 运营利润和 1.3 万亿美元自由现金流——仅 2026 年一年的自由现金流（约 3,000 亿美元），就比三家公司过去十年累计 DRAM 自由现金流还多 65%。

史上最长供不应求

DRAM 市场正经历其 50 多年历史上最持久、最显著的供不应求。价格将在未来约两年内持续攀升。2026 年 Q2 单季营收预计接近 2025 年全年营收。

智慧手机端 DRAM 成本将飙升至历史高位，直接推高终端售价。

长期趋势来看，供应商透过长期协议用「适度的年度价格下调」换取「需求确定性」，毛利率和运营利润率将在 2027 年见顶后温和回落，但中枢已结构性擡升。

HBM 成整张牌桌支点

HBM 是当前市场最核心的变量。HBM 与普通 DRAM 的 ASP 目前大致持平——这对一个制造成本高 3 倍的产品来说极不正常。报告预计 2027 年 HBM 定价将显著上行，HBM／非 HBM ASP 比率到 2027 年 Q4 达到 2.0 倍，2031 年达到 3.5 倍。

HBM 的「位替换」代价： HBM3E 的 die 面积比同节点 DDR5 大 83%；HBM4／HBM5 每生产 1 单位 HBM 所消耗的晶圆，相当于 4 单位普通 DRAM。

HBM 在辉达 GPU BOM 中的占比急剧攀升： 以 Rubin Ultra 配备 1TB HBM 计算，单卡 HBM 成本高达 23,826 美元，占总 BOM 的 77%（对比 Blackwell 时代 HBM 成本约 2,524 美元，占比 37%）。

堆叠技术路线： SK 海力士继续走 MR-MUF 路线，三星和 Micron 走 TC-NCF 路线，三者均计划在 HBM5（约 2028 年）转向混合键合（Hybrid Bonding）。

2026 年 HBM 关键数据： HBM 年产能（年底）约 75.5 万片／月（对应 29% 的行业总产能），HBM 供需充足率仅 2%（极度紧缺）。SK 海力士仍是最大 HBM 供应商，市占率持续领先至 2027 年。

代理式 AI 改变算力配比

代理式 AI 不是取代单次推理，而是在其外面包裹了 CPU 密集型的「编排循环」——任务被分解、调用工具、迭代验证，直到目标达成。这使得 CPU 与 GPU 的配比从 1：4 向 1：1 靠拢。

每个新增的 CPU 插槽都需要 DDR5 或 LPDDR5 来运行，因此主流 DRAM 的需求将随 Agentic AI 的普及而同步攀升，增速向 HBM 靠拢。

在 AI 加速器层面，推理已取代训练成为主导工作负载；辉达的 GPU 仍是主力，但客制化 ASIC 也在同步增长。

终端市场三分天下

资料中心： 到 2026 年将占 DRAM 总位元需求的约 50%。美国超大规模云端业者占了约 60% 的 DRAM 采购额，峰值可能达到 70%，在 HBM 领域更是绝对主导。

消费端（PC／手机）： 2026 年因无法与资料中心争夺产能分配，位元需求增速骤降至 3%，被「供应饥渴」所困。等到 2029 年供给松动、价格回落，将反弹至 18%。

物理 AI（自动驾驶／机器人）： 增长极快（汽车 DRAM 2024～2031 年 CAGR 达 35.5%），但目前体量尚小，大部分需求落在 5 年预测窗口之外，是明确的上行风险。

CXL 与 DRAM 复用

CXL（Compute Express Link）正在资料中心创造一个新的 DRAM「复用」层级。超大规模云端业者自 2025 年开始，透过 CXL 插槽部署可重复利用的 DDR4。预计到 2030 年，CXL 相关 DRAM 将占伺服器 DRAM 需求约 16%，但长期前景仍存在不确定性。

复用模式本质上是在利用既有 DRAM 满足新增需求，因此对新增产能的带动效果相对有限。

技术路线演进

DRAM： DDR5 已于 2024 年第二季超越 DDR4 成为主流，DDR6 预计于 2030 年第三季接棒。LPDDR6 将于 2026 年导入，但直到 2029 年才会成为市场主流。GDDR7 已进入量产，预计 2026 年中市场占比将超过 50%。2026 年第二季，1b 奈米制程节点占 DRAM 总位元产出的 43.5%，为目前主流制程。

EUV 微影： 到 2031 年，DRAM 总微影制程步骤将增加一倍，其中 EUV 微影步骤预计成长约 13 倍。

3D DRAM： 预计 2031 年后进入大规模量产阶段。

供应商格局

三星： 2026 年第一季凭借平均销售价格大涨 93%，维持营收龙头地位。HBM 产能扩张积极，2028 年 HBM 产能目标为每月 34.3 万片晶圆。

SK 海力士： 在 HBM 市场维持绝对领先，2028 年 HBM 产能目标为每月 40.5 万片晶圆，HBM 占总产能比重达 23%，为三大厂中最高。

美光： 2028 年 HBM 产能目标为每月 20.2 万片晶圆，虽落后于南韩两大竞争对手，但仍持续积极追赶。

长鑫存储： 为中国 DRAM 主要供应商，晶圆产能占比预计将由 2025 年的 9% 提升至 2031 年的 22%。不过，受设备出口限制影响，先进制程推进受阻，每片晶圆的有效位元产出仅为全球领先业者的 60%-65%。

三大上行风险

若代理式 AI 普及速度快于预期，由 CPU 带动的 DRAM 需求将进一步超出市场预期。

此外，物理 AI（包括人形机器人与自动驾驶）目前尚未充分纳入需求模型。一旦复制生成式 AI 的成长曲线，将为 DRAM 市场带来显著新增需求。

另一方面，FP8 精度的普及可使运算速度提升一倍，但有效频宽仅同步增加一倍，使整体系统由「接近平衡」转为「明显受记忆体频宽限制」。这将进一步推升市场对高频宽 DRAM（HBM）的需求。